Ελλάδα
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
Σχετικά με εμάς | Επικοινωνήστε μαζί μας | Ζητήστε προσφορά |
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > APT60N60SCSG
APT60N60SCSG
APT60N60SCSG
Αριθμός εξαρτήματος:
APT60N60SCSG
Κατασκευαστής:
Microsemi
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 600V 60A D3PAK
Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Ποσότητα αποθέματος:
45283 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days
Χρόνος παράδοσης:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
APT60N60SCSG.pdf
Έρευνα

Εισαγωγή

Το APT60N60SCSG είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την APT60N60SCSG, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το APT60N60SCSG μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε APT60N60SCSG με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Κατάσταση New & Original, tested
Χώρα προέλευσης Contact us
Κώδικας σήμανσης Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:3.9V @ 3mA
Vgs (Max):±30V
Τεχνολογία:MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή:D3Pak
Σειρά:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:45 mOhm @ 44A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max):431W (Tc)
Συσκευασία:Bulk
Συσκευασία / υπόθεση:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Θερμοκρασία λειτουργίας:-55°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος:Surface Mount
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL):1 (Unlimited)
Κατασκευαστής Standard Lead Time:19 Weeks
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds:7200pF @ 25V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs:190nC @ 10V
FET Τύπος:N-Channel
FET Χαρακτηριστικό:Super Junction
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On):10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss):600V
Λεπτομερής περιγραφή:N-Channel 600V 60A (Tc) 431W (Tc) Surface Mount D3Pak
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C:60A (Tc)
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Συναφών ανταλλακτικών για APT60N60SCSG

Εικόνα Αριθμός εξαρτήματος Κατασκευαστές Περιγραφή Θέα
APT60S20SG/TR Image APT60S20SG/TR Microsemi Corporation DIODE SCHOTTKY 200V 75A D3PAK Έρευνα
APT60M75L2LLG Image APT60M75L2LLG Microsemi MOSFET N-CH 600V 73A TO-264MAX Έρευνα
APT60M60JLL Image APT60M60JLL Microsemi MOSFET N-CH 600V 70A SOT-227 Έρευνα
APT65GP60J Image APT65GP60J Microsemi IGBT 600V 130A 431W SOT227 Έρευνα
APT64GA90LD30 Image APT64GA90LD30 Microsemi IGBT 900V 117A 500W TO-264 Έρευνα
APT60M75JLL Image APT60M75JLL Microsemi MOSFET N-CH 600V 58A SOT-227 Έρευνα
APT60N60SCSG/TR Image APT60N60SCSG/TR Microsemi MOSFET N-CH 600V 60A D3PAK Έρευνα
APT60M75JFLL Image APT60M75JFLL Microsemi MOSFET N-CH 600V 58A SOT-227 Έρευνα
APT64GA90B2D30 Image APT64GA90B2D30 Microsemi IGBT 900V 117A 500W TO-247 Έρευνα
APT60N60BCSG Image APT60N60BCSG Microsemi MOSFET N-CH 600V 60A TO-247 Έρευνα
APT60M80JVR Image APT60M80JVR Microsemi MOSFET N-CH 600V 55A SOT-227 Έρευνα
APT65GP60B2G Image APT65GP60B2G Microsemi IGBT 600V 100A 833W TMAX Έρευνα
APT60M80L2VRG Image APT60M80L2VRG Microsemi MOSFET N-CH 600V 65A TO-264MAX Έρευνα
APT60S20SG Image APT60S20SG Microsemi Corporation DIODE SCHOTTKY 200V 75A D3 Έρευνα
APT60S20B2CTG Image APT60S20B2CTG Microsemi DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TMAX Έρευνα
APT60M75JVR Image APT60M75JVR Microsemi MOSFET N-CH 600V 62A SOT-227 Έρευνα
APT60S20BG Image APT60S20BG Microsemi DIODE SCHOTTKY 200V 75A TO247 Έρευνα
APT60M75JVFR Image APT60M75JVFR Microsemi MOSFET N-CH 600V 62A SOT-227 Έρευνα
APT64GA90B Image APT64GA90B Microsemi IGBT 900V 117A 500W TO247 Έρευνα
APT60M75L2FLLG Image APT60M75L2FLLG Microsemi MOSFET N-CH 600V 73A TO-264MAX Έρευνα

Latest Ειδήσεις