Ελλάδα
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
Σχετικά με εμάς | Επικοινωνήστε μαζί μας | Ζητήστε προσφορά |
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡΣ - IGBTs - Single > APT68GA60B2D40
APT68GA60B2D40
APT68GA60B2D40
Αριθμός εξαρτήματος:
APT68GA60B2D40
Κατασκευαστής:
Microsemi
Περιγραφή:
IGBT 600V 121A 520W TO-247
Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Ποσότητα αποθέματος:
22991 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days
Χρόνος παράδοσης:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
APT68GA60B2D40.pdf
Έρευνα

Εισαγωγή

Το APT68GA60B2D40 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την APT68GA60B2D40, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το APT68GA60B2D40 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε APT68GA60B2D40 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Κατάσταση New & Original, tested
Χώρα προέλευσης Contact us
Κώδικας σήμανσης Send by email
Τάσης - συλλέκτη εκπομπού Ανάλυση (Max):600V
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic:2.5V @ 15V, 40A
Test Condition:400V, 40A, 4.7 Ohm, 15V
Td (on / off) στους 25 ° C:21ns/133ns
εναλλαγή Ενέργειας:715µJ (on), 607µJ (off)
Σειρά:POWER MOS 8™
Ισχύς - Max:520W
Συσκευασία:Tube
Συσκευασία / υπόθεση:TO-247-3 Variant
Θερμοκρασία λειτουργίας:-55°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος:Through Hole
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL):1 (Unlimited)
Κατασκευαστής Standard Lead Time:29 Weeks
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Τύπος εισόδου:Standard
IGBT Τύπος:PT
πύλη Χρέωση:198nC
Λεπτομερής περιγραφή:IGBT PT 600V 121A 520W Through Hole
Τρέχουσες - Συλλέκτης παλμικού (ICM):202A
Τρέχουσες - Συλλέκτης (Ic) (Max):121A
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Συναφών ανταλλακτικών για APT68GA60B2D40

Εικόνα Αριθμός εξαρτήματος Κατασκευαστές Περιγραφή Θέα
APT66F60L Image APT66F60L Microsemi MOSFET N-CH 600V 70A TO-264 Έρευνα
APT70GR120J Image APT70GR120J Microsemi IGBT 1200V 112A 543W SOT227 Έρευνα
APT6M100K Microsemi MOSFET N-CH 1000V 6A TO-220 Έρευνα
APT64GA90LD30 Image APT64GA90LD30 Microsemi IGBT 900V 117A 500W TO-264 Έρευνα
APT70GR120L Image APT70GR120L Microsemi IGBT 1200V 160A 961W TO264 Έρευνα
APT66F60B2 Image APT66F60B2 Microsemi MOSFET N-CH 600V 70A TO-247 Έρευνα
APT70SM70B Microsemi POWER MOSFET - SIC Έρευνα
APT70GR120JD60 Image APT70GR120JD60 Microsemi IGBT 1200V 112A 543W SOT227 Έρευνα
APT65GP60J Image APT65GP60J Microsemi IGBT 600V 130A 431W SOT227 Έρευνα
APT64GA90B2D30 Image APT64GA90B2D30 Microsemi IGBT 900V 117A 500W TO-247 Έρευνα
APT68GA60LD40 Image APT68GA60LD40 Microsemi IGBT 600V 121A 520W TO-264 Έρευνα
APT70GR120B2 Image APT70GR120B2 Microsemi IGBT 1200V 160A 961W TO247 Έρευνα
APT70GR65B2SCD30 Microsemi INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO Έρευνα
APT65GP60B2G Image APT65GP60B2G Microsemi IGBT 600V 100A 833W TMAX Έρευνα
APT68GA60B Image APT68GA60B Microsemi IGBT 600V 121A 520W TO-247 Έρευνα
APT70GR65B Image APT70GR65B Microsemi IGBT 650V 134A 595W TO-247 Έρευνα
APT70GR65B2DU40 Microsemi INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO Έρευνα
APT66M60B2 Image APT66M60B2 Microsemi MOSFET N-CH 600V 66A T-MAX Έρευνα
APT66M60L Image APT66M60L Microsemi MOSFET N-CH 600V 70A TO-264 Έρευνα
APT65GP60L2DQ2G Image APT65GP60L2DQ2G Microsemi IGBT 600V 198A 833W TO264 Έρευνα

Latest Ειδήσεις