Ελλάδα
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
Σχετικά με εμάς | Επικοινωνήστε μαζί μας | Ζητήστε προσφορά |
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > APT6M100K
APT6M100K
Αριθμός εξαρτήματος:
APT6M100K
Κατασκευαστής:
Microsemi
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 1000V 6A TO-220
Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Ποσότητα αποθέματος:
54284 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days
Χρόνος παράδοσης:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
1.APT6M100K.pdf2.APT6M100K.pdf
Έρευνα

Εισαγωγή

Το APT6M100K είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την APT6M100K, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το APT6M100K μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε APT6M100K με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Κατάσταση New & Original, tested
Χώρα προέλευσης Contact us
Κώδικας σήμανσης Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 1mA
Vgs (Max):±30V
Τεχνολογία:MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή:TO-220 [K]
Σειρά:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:2.5 Ohm @ 3A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max):225W (Tc)
Συσκευασία:Tube
Συσκευασία / υπόθεση:TO-220-3
Αλλα ονόματα:APT6M100KMI
APT6M100KMI-ND
Θερμοκρασία λειτουργίας:-55°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος:Through Hole
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL):1 (Unlimited)
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds:1410pF @ 25V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs:43nC @ 10V
FET Τύπος:N-Channel
FET Χαρακτηριστικό:-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On):10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss):1000V
Λεπτομερής περιγραφή:N-Channel 1000V 6A (Tc) 225W (Tc) Through Hole TO-220 [K]
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C:6A (Tc)
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Συναφών ανταλλακτικών για APT6M100K

Εικόνα Αριθμός εξαρτήματος Κατασκευαστές Περιγραφή Θέα
APT70GR120B2 Image APT70GR120B2 Microsemi IGBT 1200V 160A 961W TO247 Έρευνα
APT70SM70B Microsemi POWER MOSFET - SIC Έρευνα
APT70SM70J Microsemi POWER MOSFET - SIC Έρευνα
APT65GP60B2G Image APT65GP60B2G Microsemi IGBT 600V 100A 833W TMAX Έρευνα
APT68GA60LD40 Image APT68GA60LD40 Microsemi IGBT 600V 121A 520W TO-264 Έρευνα
APT66F60L Image APT66F60L Microsemi MOSFET N-CH 600V 70A TO-264 Έρευνα
APT70SM70S Microsemi POWER MOSFET - SIC Έρευνα
APT70GR120J Image APT70GR120J Microsemi IGBT 1200V 112A 543W SOT227 Έρευνα
APT70GR65B2SCD30 Microsemi INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO Έρευνα
APT66F60B2 Image APT66F60B2 Microsemi MOSFET N-CH 600V 70A TO-247 Έρευνα
APT66M60B2 Image APT66M60B2 Microsemi MOSFET N-CH 600V 66A T-MAX Έρευνα
APT66M60L Image APT66M60L Microsemi MOSFET N-CH 600V 70A TO-264 Έρευνα
APT65GP60L2DQ2G Image APT65GP60L2DQ2G Microsemi IGBT 600V 198A 833W TO264 Έρευνα
APT70GR65B2DU40 Microsemi INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO Έρευνα
APT65GP60J Image APT65GP60J Microsemi IGBT 600V 130A 431W SOT227 Έρευνα
APT70GR120L Image APT70GR120L Microsemi IGBT 1200V 160A 961W TO264 Έρευνα
APT68GA60B2D40 Image APT68GA60B2D40 Microsemi IGBT 600V 121A 520W TO-247 Έρευνα
APT68GA60B Image APT68GA60B Microsemi IGBT 600V 121A 520W TO-247 Έρευνα
APT70GR65B Image APT70GR65B Microsemi IGBT 650V 134A 595W TO-247 Έρευνα
APT70GR120JD60 Image APT70GR120JD60 Microsemi IGBT 1200V 112A 543W SOT227 Έρευνα

Latest Ειδήσεις