ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFET - Single > APT6M100K
APT6M100K
รุ่นผลิตภัณฑ์:
APT6M100K
ผู้ผลิต:
Microsemi
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 1000V 6A TO-220
สถานะตะกั่วฟรี:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณสต็อค:
54284 Pieces
เวลาจัดส่ง:
1-2 days
เวลานำ:
4-8 weeks
แผ่นข้อมูล:
1.APT6M100K.pdf2.APT6M100K.pdf
การสอบสวน

บทนำ

APT6M100K พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ APT6M100K เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ APT6M100K ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ APT6M100K ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]

ขนาด

เงื่อนไข New & Original, tested
ประเทศต้นกำเนิด Contact us
รหัสการทำเครื่องหมาย Send by email
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:5V @ 1mA
Vgs (สูงสุด):±30V
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:TO-220 [K]
ชุด:-
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:2.5 Ohm @ 3A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):225W (Tc)
บรรจุภัณฑ์:Tube
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-220-3
ชื่ออื่น:APT6M100KMI
APT6M100KMI-ND
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Through Hole
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:1410pF @ 25V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:43nC @ 10V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On):10V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):1000V
คำอธิบายโดยละเอียด:N-Channel 1000V 6A (Tc) 225W (Tc) Through Hole TO-220 [K]
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:6A (Tc)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ APT6M100K

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
APT70GR120B2 Image APT70GR120B2 Microsemi IGBT 1200V 160A 961W TO247 การสอบสวน
APT70SM70B Microsemi POWER MOSFET - SIC การสอบสวน
APT70SM70J Microsemi POWER MOSFET - SIC การสอบสวน
APT65GP60B2G Image APT65GP60B2G Microsemi IGBT 600V 100A 833W TMAX การสอบสวน
APT68GA60LD40 Image APT68GA60LD40 Microsemi IGBT 600V 121A 520W TO-264 การสอบสวน
APT66F60L Image APT66F60L Microsemi MOSFET N-CH 600V 70A TO-264 การสอบสวน
APT70SM70S Microsemi POWER MOSFET - SIC การสอบสวน
APT70GR120J Image APT70GR120J Microsemi IGBT 1200V 112A 543W SOT227 การสอบสวน
APT70GR65B2SCD30 Microsemi INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO การสอบสวน
APT66F60B2 Image APT66F60B2 Microsemi MOSFET N-CH 600V 70A TO-247 การสอบสวน
APT66M60B2 Image APT66M60B2 Microsemi MOSFET N-CH 600V 66A T-MAX การสอบสวน
APT66M60L Image APT66M60L Microsemi MOSFET N-CH 600V 70A TO-264 การสอบสวน
APT65GP60L2DQ2G Image APT65GP60L2DQ2G Microsemi IGBT 600V 198A 833W TO264 การสอบสวน
APT70GR65B2DU40 Microsemi INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO การสอบสวน
APT65GP60J Image APT65GP60J Microsemi IGBT 600V 130A 431W SOT227 การสอบสวน
APT70GR120L Image APT70GR120L Microsemi IGBT 1200V 160A 961W TO264 การสอบสวน
APT68GA60B2D40 Image APT68GA60B2D40 Microsemi IGBT 600V 121A 520W TO-247 การสอบสวน
APT68GA60B Image APT68GA60B Microsemi IGBT 600V 121A 520W TO-247 การสอบสวน
APT70GR65B Image APT70GR65B Microsemi IGBT 650V 134A 595W TO-247 การสอบสวน
APT70GR120JD60 Image APT70GR120JD60 Microsemi IGBT 1200V 112A 543W SOT227 การสอบสวน

ข่าว Latest