ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล > APT65GP60J
APT65GP60J
APT65GP60J
รุ่นผลิตภัณฑ์:
APT65GP60J
ผู้ผลิต:
Microsemi
ลักษณะ:
IGBT 600V 130A 431W SOT227
สถานะตะกั่วฟรี:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณสต็อค:
25917 Pieces
เวลาจัดส่ง:
1-2 days
เวลานำ:
4-8 weeks
แผ่นข้อมูล:
APT65GP60J.pdf
การสอบสวน

บทนำ

APT65GP60J พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ APT65GP60J เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ APT65GP60J ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ APT65GP60J ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]

ขนาด

เงื่อนไข New & Original, tested
ประเทศต้นกำเนิด Contact us
รหัสการทำเครื่องหมาย Send by email
แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด):600V
VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี:2.7V @ 15V, 65A
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:ISOTOP®
ชุด:POWER MOS 7®
เพาเวอร์ - แม็กซ์:431W
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:SOT-227-4, miniBLOC
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
กทช Thermistor:No
ประเภทการติดตั้ง:Chassis Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:Lead free / RoHS Compliant
การป้อนข้อมูลการประจุกระแสไฟ (Cies) @ VCE:7.4nF @ 25V
อินพุต:Standard
ประเภท IGBT:PT
คำอธิบายโดยละเอียด:IGBT Module PT Single 600V 130A 431W Chassis Mount ISOTOP®
ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด):1mA
ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด):130A
องค์ประกอบ:Single
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ APT65GP60J

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
APT65GP60L2DQ2G Image APT65GP60L2DQ2G Microsemi IGBT 600V 198A 833W TO264 การสอบสวน
APT70GR120B2 Image APT70GR120B2 Microsemi IGBT 1200V 160A 961W TO247 การสอบสวน
APT68GA60LD40 Image APT68GA60LD40 Microsemi IGBT 600V 121A 520W TO-264 การสอบสวน
APT60N60SCSG Image APT60N60SCSG Microsemi MOSFET N-CH 600V 60A D3PAK การสอบสวน
APT60S20BG Image APT60S20BG Microsemi DIODE SCHOTTKY 200V 75A TO247 การสอบสวน
APT64GA90B2D30 Image APT64GA90B2D30 Microsemi IGBT 900V 117A 500W TO-247 การสอบสวน
APT6M100K Microsemi MOSFET N-CH 1000V 6A TO-220 การสอบสวน
APT65GP60B2G Image APT65GP60B2G Microsemi IGBT 600V 100A 833W TMAX การสอบสวน
APT68GA60B Image APT68GA60B Microsemi IGBT 600V 121A 520W TO-247 การสอบสวน
APT60N60SCSG/TR Image APT60N60SCSG/TR Microsemi MOSFET N-CH 600V 60A D3PAK การสอบสวน
APT60S20SG/TR Image APT60S20SG/TR Microsemi Corporation DIODE SCHOTTKY 200V 75A D3PAK การสอบสวน
APT64GA90LD30 Image APT64GA90LD30 Microsemi IGBT 900V 117A 500W TO-264 การสอบสวน
APT68GA60B2D40 Image APT68GA60B2D40 Microsemi IGBT 600V 121A 520W TO-247 การสอบสวน
APT66M60L Image APT66M60L Microsemi MOSFET N-CH 600V 70A TO-264 การสอบสวน
APT66F60B2 Image APT66F60B2 Microsemi MOSFET N-CH 600V 70A TO-247 การสอบสวน
APT66F60L Image APT66F60L Microsemi MOSFET N-CH 600V 70A TO-264 การสอบสวน
APT60S20SG Image APT60S20SG Microsemi Corporation DIODE SCHOTTKY 200V 75A D3 การสอบสวน
APT64GA90B Image APT64GA90B Microsemi IGBT 900V 117A 500W TO247 การสอบสวน
APT66M60B2 Image APT66M60B2 Microsemi MOSFET N-CH 600V 66A T-MAX การสอบสวน
APT60S20B2CTG Image APT60S20B2CTG Microsemi DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TMAX การสอบสวน

ข่าว Latest