ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - IGBT - เดี่ยว > APT65GP60L2DQ2G
APT65GP60L2DQ2G
APT65GP60L2DQ2G
รุ่นผลิตภัณฑ์:
APT65GP60L2DQ2G
ผู้ผลิต:
Microsemi
ลักษณะ:
IGBT 600V 198A 833W TO264
สถานะตะกั่วฟรี:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณสต็อค:
54506 Pieces
เวลาจัดส่ง:
1-2 days
เวลานำ:
4-8 weeks
แผ่นข้อมูล:
APT65GP60L2DQ2G.pdf
การสอบสวน

บทนำ

APT65GP60L2DQ2G พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ APT65GP60L2DQ2G เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ APT65GP60L2DQ2G ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ APT65GP60L2DQ2G ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]

ขนาด

เงื่อนไข New & Original, tested
ประเทศต้นกำเนิด Contact us
รหัสการทำเครื่องหมาย Send by email
แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด):600V
VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี:2.7V @ 15V, 65A
ทดสอบสภาพ:400V, 65A, 5 Ohm, 15V
Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C:30ns/90ns
การสลับพลังงาน:605µJ (on), 895µJ (off)
ชุด:POWER MOS 7®
เพาเวอร์ - แม็กซ์:833W
บรรจุภัณฑ์:Tube
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-264-3, TO-264AA
ชื่ออื่น:APT65GP60L2DQ2GMI
APT65GP60L2DQ2GMI-ND
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Through Hole
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:Lead free / RoHS Compliant
ประเภทขาเข้า:Standard
ประเภท IGBT:PT
ค่าใช้จ่ายประตู:210nC
คำอธิบายโดยละเอียด:IGBT PT 600V 198A 833W Through Hole
ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM):250A
ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด):198A
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ APT65GP60L2DQ2G

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
APT68GA60B Image APT68GA60B Microsemi IGBT 600V 121A 520W TO-247 การสอบสวน
APT64GA90B Image APT64GA90B Microsemi IGBT 900V 117A 500W TO247 การสอบสวน
APT66M60B2 Image APT66M60B2 Microsemi MOSFET N-CH 600V 66A T-MAX การสอบสวน
APT6M100K Microsemi MOSFET N-CH 1000V 6A TO-220 การสอบสวน
APT70GR120J Image APT70GR120J Microsemi IGBT 1200V 112A 543W SOT227 การสอบสวน
APT60S20B2CTG Image APT60S20B2CTG Microsemi DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TMAX การสอบสวน
APT68GA60LD40 Image APT68GA60LD40 Microsemi IGBT 600V 121A 520W TO-264 การสอบสวน
APT64GA90LD30 Image APT64GA90LD30 Microsemi IGBT 900V 117A 500W TO-264 การสอบสวน
APT68GA60B2D40 Image APT68GA60B2D40 Microsemi IGBT 600V 121A 520W TO-247 การสอบสวน
APT60S20SG/TR Image APT60S20SG/TR Microsemi Corporation DIODE SCHOTTKY 200V 75A D3PAK การสอบสวน
APT60N60SCSG/TR Image APT60N60SCSG/TR Microsemi MOSFET N-CH 600V 60A D3PAK การสอบสวน
APT60S20BG Image APT60S20BG Microsemi DIODE SCHOTTKY 200V 75A TO247 การสอบสวน
APT65GP60B2G Image APT65GP60B2G Microsemi IGBT 600V 100A 833W TMAX การสอบสวน
APT64GA90B2D30 Image APT64GA90B2D30 Microsemi IGBT 900V 117A 500W TO-247 การสอบสวน
APT70GR120B2 Image APT70GR120B2 Microsemi IGBT 1200V 160A 961W TO247 การสอบสวน
APT66M60L Image APT66M60L Microsemi MOSFET N-CH 600V 70A TO-264 การสอบสวน
APT60S20SG Image APT60S20SG Microsemi Corporation DIODE SCHOTTKY 200V 75A D3 การสอบสวน
APT65GP60J Image APT65GP60J Microsemi IGBT 600V 130A 431W SOT227 การสอบสวน
APT66F60B2 Image APT66F60B2 Microsemi MOSFET N-CH 600V 70A TO-247 การสอบสวน
APT66F60L Image APT66F60L Microsemi MOSFET N-CH 600V 70A TO-264 การสอบสวน

ข่าว Latest