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APT65GP60L2DQ2G
- Modello di prodotti:
- APT65GP60L2DQ2G
- fabbricante:
- Microsemi
- Descrizione:
- IGBT 600V 198A 833W TO264
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 54506 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- APT65GP60L2DQ2G.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max): | 600V |
| Vce (on) (max) a VGE, Ic: | 2.7V @ 15V, 65A |
| Condizione di test: | 400V, 65A, 5 Ohm, 15V |
| Td (on / off) @ 25 ° C: | 30ns/90ns |
| di scambio energetico: | 605µJ (on), 895µJ (off) |
| Serie: | POWER MOS 7® |
| Potenza - Max: | 833W |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-264-3, TO-264AA |
| Altri nomi: | APT65GP60L2DQ2GMI APT65GP60L2DQ2GMI-ND |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo di ingresso: | Standard |
| Tipo IGBT: | PT |
| carica gate: | 210nC |
| Descrizione dettagliata: | IGBT PT 600V 198A 833W Through Hole |
| Corrente - collettore Pulsed (Icm): | 250A |
| Corrente - collettore (Ic) (max): | 198A |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per APT65GP60L2DQ2G
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
APT68GA60B | Microsemi | IGBT 600V 121A 520W TO-247 | Inchiesta |
|
APT64GA90B | Microsemi | IGBT 900V 117A 500W TO247 | Inchiesta |
 |
APT66M60B2 | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 66A T-MAX | Inchiesta |
 |
APT6M100K | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 6A TO-220 | Inchiesta |
 |
APT70GR120J | Microsemi | IGBT 1200V 112A 543W SOT227 | Inchiesta |
 |
APT60S20B2CTG | Microsemi | DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TMAX | Inchiesta |
 |
APT68GA60LD40 | Microsemi | IGBT 600V 121A 520W TO-264 | Inchiesta |
|
APT64GA90LD30 | Microsemi | IGBT 900V 117A 500W TO-264 | Inchiesta |
|
APT68GA60B2D40 | Microsemi | IGBT 600V 121A 520W TO-247 | Inchiesta |
 |
APT60S20SG/TR | Microsemi Corporation | DIODE SCHOTTKY 200V 75A D3PAK | Inchiesta |
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APT60N60SCSG/TR | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 60A D3PAK | Inchiesta |
 |
APT60S20BG | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 200V 75A TO247 | Inchiesta |
|
APT65GP60B2G | Microsemi | IGBT 600V 100A 833W TMAX | Inchiesta |
|
APT64GA90B2D30 | Microsemi | IGBT 900V 117A 500W TO-247 | Inchiesta |
|
APT70GR120B2 | Microsemi | IGBT 1200V 160A 961W TO247 | Inchiesta |
|
APT66M60L | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 70A TO-264 | Inchiesta |
|
APT60S20SG | Microsemi Corporation | DIODE SCHOTTKY 200V 75A D3 | Inchiesta |
 |
APT65GP60J | Microsemi | IGBT 600V 130A 431W SOT227 | Inchiesta |
|
APT66F60B2 | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 70A TO-247 | Inchiesta |
|
APT66F60L | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 70A TO-264 | Inchiesta |
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