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APT60S20SG/TR
- Modello di prodotti:
- APT60S20SG/TR
- fabbricante:
- Microsemi
- Descrizione:
- DIODE SCHOTTKY 200V 75A D3PAK
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 31119 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- APT60S20SG/TR.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Tensione - Picco inversa (max): | Schottky |
| Tensione - diretta (Vf) (max) a If: | 75A |
| Tensione - Ripartizione: | D3Pak |
| Serie: | - |
| Stato RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Tempo di ripristino inverso (trr): | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Resistenza a If, F: | - |
| Polarizzazione: | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| Temperatura di funzionamento - Giunzione: | 55ns |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 22 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | APT60S20SG/TR |
| Descrizione espansione: | Diode Schottky 200V 75A Surface Mount D3Pak |
| Configurazione diodo: | 1mA @ 200V |
| Descrizione: | DIODE SCHOTTKY 200V 75A D3PAK |
| Corrente - Dispersione inversa a Vr: | 900mV @ 60A |
| Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo): | 200V |
| Capacità a Vr, F: | -55°C ~ 150°C |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per APT60S20SG/TR
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
APT60N60SCSG/TR | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 60A D3PAK | Inchiesta |
 |
APT64GA90LD30 | Microsemi | IGBT 900V 117A 500W TO-264 | Inchiesta |
|
APT60M75L2FLLG | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 73A TO-264MAX | Inchiesta |
 |
APT60S20B2CTG | Microsemi | DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TMAX | Inchiesta |
|
APT66F60L | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 70A TO-264 | Inchiesta |
 |
APT60N60BCSG | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 60A TO-247 | Inchiesta |
|
APT65GP60L2DQ2G | Microsemi | IGBT 600V 198A 833W TO264 | Inchiesta |
 |
APT65GP60B2G | Microsemi | IGBT 600V 100A 833W TMAX | Inchiesta |
|
APT66F60B2 | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 70A TO-247 | Inchiesta |
|
APT64GA90B2D30 | Microsemi | IGBT 900V 117A 500W TO-247 | Inchiesta |
|
APT66M60L | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 70A TO-264 | Inchiesta |
 |
APT60M80JVR | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 55A SOT-227 | Inchiesta |
|
APT60M80L2VRG | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 65A TO-264MAX | Inchiesta |
|
APT60M75L2LLG | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 73A TO-264MAX | Inchiesta |
|
APT65GP60J | Microsemi | IGBT 600V 130A 431W SOT227 | Inchiesta |
 |
APT60S20BG | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 200V 75A TO247 | Inchiesta |
|
APT66M60B2 | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 66A T-MAX | Inchiesta |
 |
APT60S20SG | Microsemi Corporation | DIODE SCHOTTKY 200V 75A D3 | Inchiesta |
|
APT64GA90B | Microsemi | IGBT 900V 117A 500W TO247 | Inchiesta |
|
APT60N60SCSG | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 60A D3PAK | Inchiesta |
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