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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > APT66M60B2
APT66M60B2
APT66M60B2
Modello di prodotti:
APT66M60B2
fabbricante:
Microsemi
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 66A T-MAX
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
34846 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
1.APT66M60B2.pdf2.APT66M60B2.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Codice di marcatura Send by email
Vgs (th) (max) a Id:5V @ 2.5mA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:T-MAX™ [B2]
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:100 mOhm @ 33A, 10V
Dissipazione di potenza (max):1135W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-247-3 Variant
Altri nomi:APT66M60B2MI
APT66M60B2MI-ND
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:23 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:13190pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:330nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):600V
Descrizione dettagliata:N-Channel 600V 70A (Tc) 1135W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:70A (Tc)
Email:[email protected]

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