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APT70GR65B
- Modello di prodotti:
- APT70GR65B
- fabbricante:
- Microsemi
- Descrizione:
- IGBT 650V 134A 595W TO-247
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 37186 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- APT70GR65B.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max): | 650V |
| Vce (on) (max) a VGE, Ic: | 2.4V @ 15V, 70A |
| Condizione di test: | 433V, 70A, 4.3 Ohm, 15V |
| Td (on / off) @ 25 ° C: | 19ns/170ns |
| di scambio energetico: | 1.51mJ (on), 1.46mJ (off) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-247 |
| Serie: | - |
| Potenza - Max: | 595W |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-247-3 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo di ingresso: | Standard |
| Tipo IGBT: | NPT |
| carica gate: | 305nC |
| Descrizione dettagliata: | IGBT NPT 650V 134A 595W Through Hole TO-247 |
| Corrente - collettore Pulsed (Icm): | 260A |
| Corrente - collettore (Ic) (max): | 134A |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per APT70GR65B
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
APT75DL60HJ | Microsemi | MOD DIODE 600V SOT-227 | Inchiesta |
 |
APT70GR120JD60 | Microsemi | IGBT 1200V 112A 543W SOT227 | Inchiesta |
|
APT75DF170HJ | Microsemi | MOD DIODE 1700V SOT-227 | Inchiesta |
|
APT70GR120J | Microsemi | IGBT 1200V 112A 543W SOT227 | Inchiesta |
 |
APT66M60L | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 70A TO-264 | Inchiesta |
 |
APT6M100K | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 6A TO-220 | Inchiesta |
 |
APT66M60B2 | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 66A T-MAX | Inchiesta |
|
APT70SM70S | Microsemi | POWER MOSFET - SIC | Inchiesta |
|
APT68GA60LD40 | Microsemi | IGBT 600V 121A 520W TO-264 | Inchiesta |
|
APT70SM70B | Microsemi | POWER MOSFET - SIC | Inchiesta |
|
APT75DL120HJ | Microsemi | MOD DIODE 1200V SOT-227 | Inchiesta |
 |
APT75DQ100BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 75A TO247 | Inchiesta |
|
APT75DQ120BG | Microsemi | DIODE GEN PURP 1.2KV 75A TO247 | Inchiesta |
|
APT70GR120L | Microsemi | IGBT 1200V 160A 961W TO264 | Inchiesta |
 |
APT70GR120B2 | Microsemi | IGBT 1200V 160A 961W TO247 | Inchiesta |
|
APT70GR65B2DU40 | Microsemi | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | Inchiesta |
|
APT68GA60B2D40 | Microsemi | IGBT 600V 121A 520W TO-247 | Inchiesta |
|
APT70SM70J | Microsemi | POWER MOSFET - SIC | Inchiesta |
|
APT68GA60B | Microsemi | IGBT 600V 121A 520W TO-247 | Inchiesta |
|
APT70GR65B2SCD30 | Microsemi | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | Inchiesta |
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