APT70GR65B2DU40 è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per APT70GR65B2DU40, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per APT70GR65B2DU40 via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista APT70GR65B2DU40 con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
APT70GR65B2DU40
- Modello di prodotti:
- APT70GR65B2DU40
- fabbricante:
- Microsemi
- Descrizione:
- INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 41936 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- APT70GR65B2DU40.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max): | 650V |
| Vce (on) (max) a VGE, Ic: | 2.4V @ 15V, 70A |
| Condizione di test: | 433V, 70A, 4.3 Ohm, 15V |
| Td (on / off) @ 25 ° C: | 18ns/170ns |
| Contenitore dispositivo fornitore: | T-MAX™ [B2] |
| Serie: | - |
| Potenza - Max: | 595W |
| imballaggio: | Bulk |
| Contenitore / involucro: | TO-247-3 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 28 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo di ingresso: | Standard |
| Tipo IGBT: | NPT |
| carica gate: | 305nC |
| Descrizione dettagliata: | IGBT NPT 650V 134A 595W Through Hole T-MAX™ [B2] |
| Corrente - collettore Pulsed (Icm): | 280A |
| Corrente - collettore (Ic) (max): | 134A |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per APT70GR65B2DU40
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
APT75DQ100BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 75A TO247 | Inchiesta |
 |
APT6M100K | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 6A TO-220 | Inchiesta |
 |
APT70GR65B | Microsemi | IGBT 650V 134A 595W TO-247 | Inchiesta |
 |
APT75DF170HJ | Microsemi | MOD DIODE 1700V SOT-227 | Inchiesta |
 |
APT70GR120JD60 | Microsemi | IGBT 1200V 112A 543W SOT227 | Inchiesta |
|
APT75DL60HJ | Microsemi | MOD DIODE 600V SOT-227 | Inchiesta |
|
APT75DL120HJ | Microsemi | MOD DIODE 1200V SOT-227 | Inchiesta |
|
APT70SM70J | Microsemi | POWER MOSFET - SIC | Inchiesta |
 |
APT70GR120L | Microsemi | IGBT 1200V 160A 961W TO264 | Inchiesta |
|
APT70GR120B2 | Microsemi | IGBT 1200V 160A 961W TO247 | Inchiesta |
|
APT68GA60B | Microsemi | IGBT 600V 121A 520W TO-247 | Inchiesta |
|
APT70GR120J | Microsemi | IGBT 1200V 112A 543W SOT227 | Inchiesta |
|
APT75DQ60BG | Microsemi | DIODE GEN PURP 600V 75A TO247 | Inchiesta |
|
APT66M60L | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 70A TO-264 | Inchiesta |
|
APT68GA60LD40 | Microsemi | IGBT 600V 121A 520W TO-264 | Inchiesta |
|
APT75DQ120BG | Microsemi | DIODE GEN PURP 1.2KV 75A TO247 | Inchiesta |
|
APT70SM70S | Microsemi | POWER MOSFET - SIC | Inchiesta |
|
APT70SM70B | Microsemi | POWER MOSFET - SIC | Inchiesta |
 |
APT68GA60B2D40 | Microsemi | IGBT 600V 121A 520W TO-247 | Inchiesta |
|
APT70GR65B2SCD30 | Microsemi | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | Inchiesta |
Latest Notizie
- Il rapporto finanziario del primo trimestre del SEF Semiconductor (ST) diminuisce e la domanda di automobili ha rallentato
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Volume del chip maturo locale, capacità di produzione di memoria flash Samsung Nand vicino a carico
- Vishay lancia l'imballaggio minile ad alta luminosità a LED blu e verde puro
- Ansonmei ha lanciato un sensore di posizione induttivo per il mercato industriale e dei trasporti
- Ruisa inizia la vecchia fabbrica per aumentare il dispositivo di alimentazione, il terremoto influisce su lieve uscita DRAM
- Il microchip consente la capacità di produzione di TSMC e aumenta gli aumenti dei prezzi
- Ruisa ha lanciato la nuova serie RA0 Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis lancia un chip a interruttore induttore integrato completo
- X-Fab introduce la tecnologia del sensore del sensore di immagine per migliorare le prestazioni del sensore CMOS
- La grande fabbrica di chip è stata influenzata dal terremoto: TSMC ha smesso di funzionare con urgenza, esacerbando la fornitura di GPU a breve termine?
- La memoria di Nand Flash continua, MCU Deslocking Bottom ha ragione