Το APT70GR65B2DU40 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την APT70GR65B2DU40, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το APT70GR65B2DU40 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε APT70GR65B2DU40 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
APT70GR65B2DU40
- Αριθμός εξαρτήματος:
- APT70GR65B2DU40
- Κατασκευαστής:
- Microsemi
- Περιγραφή:
- INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 41936 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- APT70GR65B2DU40.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - συλλέκτη εκπομπού Ανάλυση (Max): | 650V |
| VCE (on) (Max) @ Vge, Ic: | 2.4V @ 15V, 70A |
| Test Condition: | 433V, 70A, 4.3 Ohm, 15V |
| Td (on / off) στους 25 ° C: | 18ns/170ns |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | T-MAX™ [B2] |
| Σειρά: | - |
| Ισχύς - Max: | 595W |
| Συσκευασία: | Bulk |
| Συσκευασία / υπόθεση: | TO-247-3 |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| τοποθέτηση Τύπος: | Through Hole |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 28 Weeks |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Τύπος εισόδου: | Standard |
| IGBT Τύπος: | NPT |
| πύλη Χρέωση: | 305nC |
| Λεπτομερής περιγραφή: | IGBT NPT 650V 134A 595W Through Hole T-MAX™ [B2] |
| Τρέχουσες - Συλλέκτης παλμικού (ICM): | 280A |
| Τρέχουσες - Συλλέκτης (Ic) (Max): | 134A |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για APT70GR65B2DU40
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
APT75DQ100BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 75A TO247 | Έρευνα |
 |
APT6M100K | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 6A TO-220 | Έρευνα |
 |
APT70GR65B | Microsemi | IGBT 650V 134A 595W TO-247 | Έρευνα |
 |
APT75DF170HJ | Microsemi | MOD DIODE 1700V SOT-227 | Έρευνα |
 |
APT70GR120JD60 | Microsemi | IGBT 1200V 112A 543W SOT227 | Έρευνα |
|
APT75DL60HJ | Microsemi | MOD DIODE 600V SOT-227 | Έρευνα |
|
APT75DL120HJ | Microsemi | MOD DIODE 1200V SOT-227 | Έρευνα |
|
APT70SM70J | Microsemi | POWER MOSFET - SIC | Έρευνα |
 |
APT70GR120L | Microsemi | IGBT 1200V 160A 961W TO264 | Έρευνα |
|
APT70GR120B2 | Microsemi | IGBT 1200V 160A 961W TO247 | Έρευνα |
|
APT68GA60B | Microsemi | IGBT 600V 121A 520W TO-247 | Έρευνα |
|
APT70GR120J | Microsemi | IGBT 1200V 112A 543W SOT227 | Έρευνα |
|
APT75DQ60BG | Microsemi | DIODE GEN PURP 600V 75A TO247 | Έρευνα |
|
APT66M60L | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 70A TO-264 | Έρευνα |
|
APT68GA60LD40 | Microsemi | IGBT 600V 121A 520W TO-264 | Έρευνα |
|
APT75DQ120BG | Microsemi | DIODE GEN PURP 1.2KV 75A TO247 | Έρευνα |
|
APT70SM70S | Microsemi | POWER MOSFET - SIC | Έρευνα |
|
APT70SM70B | Microsemi | POWER MOSFET - SIC | Έρευνα |
 |
APT68GA60B2D40 | Microsemi | IGBT 600V 121A 520W TO-247 | Έρευνα |
|
APT70GR65B2SCD30 | Microsemi | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο
- Το microchip επιτρέπει την παραγωγική ικανότητα του TSMC και αυξάνει τις αυξήσεις των τιμών
- Η Ruisa ξεκίνησε το νέο RA0 Series Ultra -Low Power Entry -Level MCU
- Η Melexis εγκαινιάζει ένα πλήρες τσιπ διακόπτη επαγωγέα
- Το X-FAB εισάγει τεχνολογία φωτισμού αισθητήρα εικόνας για την ενίσχυση της απόδοσης του αισθητήρα CMOS
- Το μεγάλο εργοστάσιο τσιπ επηρεάστηκε από τον σεισμό: η TSMC σταμάτησε να λειτουργεί επειγόντως, επιδεινώνοντας την παροχή GPU σε σύντομο χρονικό διάστημα;