APT70GR120J พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ APT70GR120J เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ APT70GR120J ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ APT70GR120J ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
APT70GR120J
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- APT70GR120J
- ผู้ผลิต:
- Microsemi
- ลักษณะ:
- IGBT 1200V 112A 543W SOT227
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 29104 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- APT70GR120J.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด): | 1200V |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี: | 3.2V @ 15V, 70A |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | SOT-227 |
| ชุด: | - |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์: | 543W |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | SOT-227-4 |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| กทช Thermistor: | No |
| ประเภทการติดตั้ง: | Chassis Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| การป้อนข้อมูลการประจุกระแสไฟ (Cies) @ VCE: | 7.26nF @ 25V |
| อินพุต: | Standard |
| ประเภท IGBT: | NPT |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | IGBT Module NPT Single 1200V 112A 543W Chassis Mount SOT-227 |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด): | 1mA |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด): | 112A |
| องค์ประกอบ: | Single |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ APT70GR120J
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
APT68GA60B | Microsemi | IGBT 600V 121A 520W TO-247 | การสอบสวน |
 |
APT70GR65B2DU40 | Microsemi | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | การสอบสวน |
|
APT70GR65B | Microsemi | IGBT 650V 134A 595W TO-247 | การสอบสวน |
|
APT70SM70B | Microsemi | POWER MOSFET - SIC | การสอบสวน |
|
APT70SM70S | Microsemi | POWER MOSFET - SIC | การสอบสวน |
|
APT70GR65B2SCD30 | Microsemi | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | การสอบสวน |
 |
APT66M60B2 | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 66A T-MAX | การสอบสวน |
 |
APT66M60L | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 70A TO-264 | การสอบสวน |
|
APT70GR120B2 | Microsemi | IGBT 1200V 160A 961W TO247 | การสอบสวน |
|
APT68GA60B2D40 | Microsemi | IGBT 600V 121A 520W TO-247 | การสอบสวน |
 |
APT75DL120HJ | Microsemi | MOD DIODE 1200V SOT-227 | การสอบสวน |
|
APT66F60B2 | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 70A TO-247 | การสอบสวน |
|
APT70SM70J | Microsemi | POWER MOSFET - SIC | การสอบสวน |
|
APT75DF170HJ | Microsemi | MOD DIODE 1700V SOT-227 | การสอบสวน |
|
APT65GP60L2DQ2G | Microsemi | IGBT 600V 198A 833W TO264 | การสอบสวน |
|
APT6M100K | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 6A TO-220 | การสอบสวน |
|
APT66F60L | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 70A TO-264 | การสอบสวน |
|
APT70GR120L | Microsemi | IGBT 1200V 160A 961W TO264 | การสอบสวน |
|
APT68GA60LD40 | Microsemi | IGBT 600V 121A 520W TO-264 | การสอบสวน |
 |
APT70GR120JD60 | Microsemi | IGBT 1200V 112A 543W SOT227 | การสอบสวน |
ข่าว Latest
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU