Ελλάδα
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
Σχετικά με εμάς | Επικοινωνήστε μαζί μας | Ζητήστε προσφορά |
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Δίοδοι - ΑΝΟΡΘΩΤΕΣ - Single > APT10SCD120B
APT10SCD120B
APT10SCD120B
Αριθμός εξαρτήματος:
APT10SCD120B
Κατασκευαστής:
Microsemi
Περιγραφή:
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247
Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Ποσότητα αποθέματος:
48867 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days
Χρόνος παράδοσης:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
APT10SCD120B.pdf
Έρευνα

Εισαγωγή

Το APT10SCD120B είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την APT10SCD120B, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το APT10SCD120B μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε APT10SCD120B με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Κατάσταση New & Original, tested
Χώρα προέλευσης Contact us
Κώδικας σήμανσης Send by email
Τάσης - Forward (Vf) (Max) @ Αν:1.8V @ 10A
Τάσης - DC Reverse (VR) (Max):1200V
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή:TO-247
Ταχύτητα:No Recovery Time > 500mA (Io)
Σειρά:-
Χρόνος επαναφοράς Reverse (TRR):0ns
Συσκευασία:Tube
Συσκευασία / υπόθεση:TO-247-2
Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση:-55°C ~ 150°C
τοποθέτηση Τύπος:Through Hole
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL):1 (Unlimited)
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Diode Τύπος:Silicon Carbide Schottky
Λεπτομερής περιγραφή:Diode Silicon Carbide Schottky 1200V 36A (DC) Through Hole TO-247
Τρέχουσες - Αντίστροφη Διαρροή @ Vr:200µA @ 1200V
Τρέχουσες - Μέσο ανορθωμένο (Io):36A (DC)
Χωρητικότητα @ VR, F:600pF @ 0V, 1MHz
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Συναφών ανταλλακτικών για APT10SCD120B

Εικόνα Αριθμός εξαρτήματος Κατασκευαστές Περιγραφή Θέα
APT10SCD120K Image APT10SCD120K Microsemi DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220 Έρευνα
APT11F80B Image APT11F80B Microsemi MOSFET N-CH 800V 12A TO-247 Έρευνα
APT102GA60B2 Image APT102GA60B2 Microsemi IGBT 600V 183A 780W TO247 Έρευνα
APT10DC120HJ Image APT10DC120HJ Microsemi DIODE SIC SCHOTTKY 1200V SOT227 Έρευνα
APT11GF120KRG Microsemi IGBT 1200V 25A 156W TO220 Έρευνα
APT10M11B2VFRG Image APT10M11B2VFRG Microsemi MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX Έρευνα
APT10SCD65K Image APT10SCD65K Microsemi DIODE SILICON 650V 17A TO220 Έρευνα
APT10M11JVRU2 Image APT10M11JVRU2 Microsemi MOSFET N-CH 100V 142A SOT227 Έρευνα
APT10M07JVR Microsemi MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP Έρευνα
APT11GF120BRDQ1G Image APT11GF120BRDQ1G Microsemi IGBT 1200V 25A 156W TO247 Έρευνα
APT10M09B2VFRG Image APT10M09B2VFRG Microsemi MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX Έρευνα
APT10M11JVR Microsemi MOSFET N-CH 100V 144A ISOTOP Έρευνα
APT11F80S Image APT11F80S Microsemi MOSFET N-CH 800V 12A D3PAK Έρευνα
APT11GP60BDQBG Image APT11GP60BDQBG Microsemi IGBT 600V 41A 187W TO247 Έρευνα
APT10M11JVRU3 Image APT10M11JVRU3 Microsemi MOSFET N-CH 100V 142A SOT227 Έρευνα
APT10SCD65KCT Microsemi DIODE SILICON 650V 17A TO220 Έρευνα
APT102GA60L Image APT102GA60L Microsemi IGBT 600V 183A 780W TO264 Έρευνα
APT106N60B2C6 Image APT106N60B2C6 Microsemi MOSFET N-CH 600V 106A TO-247 Έρευνα
APT11N80BC3G Image APT11N80BC3G Microsemi MOSFET N-CH 800V 11A TO-247 Έρευνα
APT10SCD120BCT Image APT10SCD120BCT Microsemi DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247 Έρευνα

Latest Ειδήσεις