Ελλάδα
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
Σχετικά με εμάς | Επικοινωνήστε μαζί μας | Ζητήστε προσφορά |
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > APT10M07JVR
APT10M07JVR
Αριθμός εξαρτήματος:
APT10M07JVR
Κατασκευαστής:
Microsemi
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP
Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Ποσότητα αποθέματος:
32940 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days
Χρόνος παράδοσης:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
APT10M07JVR.pdf
Έρευνα

Εισαγωγή

Το APT10M07JVR είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την APT10M07JVR, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το APT10M07JVR μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε APT10M07JVR με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Κατάσταση New & Original, tested
Χώρα προέλευσης Contact us
Κώδικας σήμανσης Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 5mA
Vgs (Max):±30V
Τεχνολογία:MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή:ISOTOP®
Σειρά:POWER MOS V®
Έκλυση ενέργειας (Max):700W (Tc)
Συσκευασία:Tube
Συσκευασία / υπόθεση:SOT-227-4, miniBLOC
Θερμοκρασία λειτουργίας:-55°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος:Chassis Mount
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL):1 (Unlimited)
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds:21600pF @ 25V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs:1050nC @ 10V
FET Τύπος:N-Channel
FET Χαρακτηριστικό:-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On):10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss):100V
Λεπτομερής περιγραφή:N-Channel 100V 225A (Tc) 700W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C:225A (Tc)
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Συναφών ανταλλακτικών για APT10M07JVR

Εικόνα Αριθμός εξαρτήματος Κατασκευαστές Περιγραφή Θέα
APT106N60B2C6 Image APT106N60B2C6 Microsemi MOSFET N-CH 600V 106A TO-247 Έρευνα
APT10M09B2VFRG Image APT10M09B2VFRG Microsemi MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX Έρευνα
APT100M50J Image APT100M50J Microsemi MOSFET N-CH 500V 100A SOT-227 Έρευνα
APT100S20BG Image APT100S20BG Microsemi DIODE SCHOTTKY 200V 120A TO247 Έρευνα
APT10M11JVRU3 Image APT10M11JVRU3 Microsemi MOSFET N-CH 100V 142A SOT227 Έρευνα
APT10M11JVR Microsemi MOSFET N-CH 100V 144A ISOTOP Έρευνα
APT10SCD120BCT Image APT10SCD120BCT Microsemi DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247 Έρευνα
APT102GA60B2 Image APT102GA60B2 Microsemi IGBT 600V 183A 780W TO247 Έρευνα
APT10DC120HJ Image APT10DC120HJ Microsemi DIODE SIC SCHOTTKY 1200V SOT227 Έρευνα
APT10M11B2VFRG Image APT10M11B2VFRG Microsemi MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX Έρευνα
APT10M11JVRU2 Image APT10M11JVRU2 Microsemi MOSFET N-CH 100V 142A SOT227 Έρευνα
APT100GT60JR Image APT100GT60JR Microsemi IGBT 600V 148A 500W SOT227 Έρευνα
APT10SCD120K Image APT10SCD120K Microsemi DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220 Έρευνα
APT100S20LCTG Image APT100S20LCTG Microsemi DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO264 Έρευνα
APT102GA60L Image APT102GA60L Microsemi IGBT 600V 183A 780W TO264 Έρευνα
APT10SCD120B Image APT10SCD120B Microsemi DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247 Έρευνα
APT10SCD65K Image APT10SCD65K Microsemi DIODE SILICON 650V 17A TO220 Έρευνα
APT100MC120JCU2 Image APT100MC120JCU2 Microsemi MOSFET N-CH 1200V 143A ISOTOP Έρευνα
APT100GT60JRDQ4 Image APT100GT60JRDQ4 Microsemi IGBT 600V 148A 500W SOT227 Έρευνα
APT10SCD65KCT Microsemi DIODE SILICON 650V 17A TO220 Έρευνα

Latest Ειδήσεις