Ελλάδα
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
Σχετικά με εμάς | Επικοινωνήστε μαζί μας | Ζητήστε προσφορά |
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡΣ - IGBTs - Single > APT102GA60L
APT102GA60L
APT102GA60L
Αριθμός εξαρτήματος:
APT102GA60L
Κατασκευαστής:
Microsemi
Περιγραφή:
IGBT 600V 183A 780W TO264
Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Ποσότητα αποθέματος:
52551 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days
Χρόνος παράδοσης:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
APT102GA60L.pdf
Έρευνα

Εισαγωγή

Το APT102GA60L είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την APT102GA60L, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το APT102GA60L μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε APT102GA60L με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Κατάσταση New & Original, tested
Χώρα προέλευσης Contact us
Κώδικας σήμανσης Send by email
Τάσης - συλλέκτη εκπομπού Ανάλυση (Max):600V
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic:2.5V @ 15V, 62A
Test Condition:400V, 62A, 4.7 Ohm, 15V
Td (on / off) στους 25 ° C:28ns/212ns
εναλλαγή Ενέργειας:1.354mJ (on), 1.614mJ (off)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή:TO-264 [L]
Σειρά:-
Ισχύς - Max:780W
Συσκευασία:Tube
Συσκευασία / υπόθεση:TO-264-3, TO-264AA
Αλλα ονόματα:APT102GA60LMI
APT102GA60LMI-ND
Θερμοκρασία λειτουργίας:-55°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος:Through Hole
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL):1 (Unlimited)
Κατασκευαστής Standard Lead Time:26 Weeks
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Τύπος εισόδου:Standard
IGBT Τύπος:PT
πύλη Χρέωση:294nC
Λεπτομερής περιγραφή:IGBT PT 600V 183A 780W Through Hole TO-264 [L]
Τρέχουσες - Συλλέκτης παλμικού (ICM):307A
Τρέχουσες - Συλλέκτης (Ic) (Max):183A
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Συναφών ανταλλακτικών για APT102GA60L

Εικόνα Αριθμός εξαρτήματος Κατασκευαστές Περιγραφή Θέα
APT10SCD120BCT Image APT10SCD120BCT Microsemi DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247 Έρευνα
APT100GT60B2RG Image APT100GT60B2RG Microsemi IGBT 600V 148A 500W SOT247 Έρευνα
APT100MC120JCU2 Image APT100MC120JCU2 Microsemi MOSFET N-CH 1200V 143A ISOTOP Έρευνα
APT10M11B2VFRG Image APT10M11B2VFRG Microsemi MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX Έρευνα
APT100GT60JR Image APT100GT60JR Microsemi IGBT 600V 148A 500W SOT227 Έρευνα
APT102GA60B2 Image APT102GA60B2 Microsemi IGBT 600V 183A 780W TO247 Έρευνα
APT100M50J Image APT100M50J Microsemi MOSFET N-CH 500V 100A SOT-227 Έρευνα
APT100S20LCTG Image APT100S20LCTG Microsemi DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO264 Έρευνα
APT10SCD120B Image APT10SCD120B Microsemi DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247 Έρευνα
APT10M11JVR Microsemi MOSFET N-CH 100V 144A ISOTOP Έρευνα
APT100GT60JRDQ4 Image APT100GT60JRDQ4 Microsemi IGBT 600V 148A 500W SOT227 Έρευνα
APT10M11JVRU2 Image APT10M11JVRU2 Microsemi MOSFET N-CH 100V 142A SOT227 Έρευνα
APT100S20BG Image APT100S20BG Microsemi DIODE SCHOTTKY 200V 120A TO247 Έρευνα
APT100GT120JU3 Image APT100GT120JU3 Microsemi IGBT 1200V 140A 480W SOT227 Έρευνα
APT10M07JVR Microsemi MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP Έρευνα
APT106N60B2C6 Image APT106N60B2C6 Microsemi MOSFET N-CH 600V 106A TO-247 Έρευνα
APT10M11JVRU3 Image APT10M11JVRU3 Microsemi MOSFET N-CH 100V 142A SOT227 Έρευνα
APT10DC120HJ Image APT10DC120HJ Microsemi DIODE SIC SCHOTTKY 1200V SOT227 Έρευνα
APT100GT120JU2 Image APT100GT120JU2 Microsemi IGBT 1200V 140A 480W SOT227 Έρευνα
APT10M09B2VFRG Image APT10M09B2VFRG Microsemi MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX Έρευνα

Latest Ειδήσεις