Indonesia
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
Tentang kami | Hubungi kami | Permintaan Penawaran |
Rumah > Produk > Produk Semikonduktor Diskrit > Transistor - FET, MOSFET - Tunggal > APT10M07JVR
APT10M07JVR
Nomor bagian:
APT10M07JVR
Pabrikan:
Microsemi
Deskripsi:
MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP
Status Bebas Timbal:
Memimpin bebas / RoHS Compliant
Jumlah stok:
32940 Pieces
Waktu pengiriman:
1-2 days
Lead time:
4-8 weeks
Lembaran data:
APT10M07JVR.pdf
Penyelidikan

pengantar

APT10M07JVR tersedia sekarang!LYNTEAM Technology adalah distributor stocking untuk APT10M07JVR, kami memiliki stok untuk pengiriman segera dan juga tersedia untuk pasokan waktu yang lama.Silakan kirim paket pembelian Anda untuk APT10M07JVR melalui email, kami akan memberikan harga terbaik sesuai rencana Anda.
Beli APT10M07JVR dengan LYNTEAM, hemat uang dan waktu Anda.
Email kami: [email protected]

Spesifikasi

Kondisi New & Original, tested
Negara Asal Contact us
Kode Penandaan Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 5mA
Vgs (Max):±30V
Teknologi:MOSFET (Metal Oxide)
Paket Perangkat pemasok:ISOTOP®
Seri:POWER MOS V®
Power Disipasi (Max):700W (Tc)
Pengemasan:Tube
Paket / Case:SOT-227-4, miniBLOC
Suhu Operasional:-55°C ~ 150°C (TJ)
mount Jenis:Chassis Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Status Gratis Memimpin / Status RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS:21600pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:1050nC @ 10V
FET Jenis:N-Channel
Fitur FET:-
Drive Voltage (Max Rds On, Min RDS Aktif):10V
Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss):100V
Detil Deskripsi:N-Channel 100V 225A (Tc) 700W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®
Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C:225A (Tc)
Email:[email protected]

Cepat Permintaan Penawaran

Nomor bagian
Kuantitas
Perusahaan
E-mail
Telepon
Komentar

bagian terkait untuk APT10M07JVR

Gambar Nomor bagian Produsen Deskripsi Melihat
APT106N60B2C6 Image APT106N60B2C6 Microsemi MOSFET N-CH 600V 106A TO-247 Penyelidikan
APT10M09B2VFRG Image APT10M09B2VFRG Microsemi MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX Penyelidikan
APT100M50J Image APT100M50J Microsemi MOSFET N-CH 500V 100A SOT-227 Penyelidikan
APT100S20BG Image APT100S20BG Microsemi DIODE SCHOTTKY 200V 120A TO247 Penyelidikan
APT10M11JVRU3 Image APT10M11JVRU3 Microsemi MOSFET N-CH 100V 142A SOT227 Penyelidikan
APT10M11JVR Microsemi MOSFET N-CH 100V 144A ISOTOP Penyelidikan
APT10SCD120BCT Image APT10SCD120BCT Microsemi DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247 Penyelidikan
APT102GA60B2 Image APT102GA60B2 Microsemi IGBT 600V 183A 780W TO247 Penyelidikan
APT10DC120HJ Image APT10DC120HJ Microsemi DIODE SIC SCHOTTKY 1200V SOT227 Penyelidikan
APT10M11B2VFRG Image APT10M11B2VFRG Microsemi MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX Penyelidikan
APT10M11JVRU2 Image APT10M11JVRU2 Microsemi MOSFET N-CH 100V 142A SOT227 Penyelidikan
APT100GT60JR Image APT100GT60JR Microsemi IGBT 600V 148A 500W SOT227 Penyelidikan
APT10SCD120K Image APT10SCD120K Microsemi DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220 Penyelidikan
APT100S20LCTG Image APT100S20LCTG Microsemi DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO264 Penyelidikan
APT102GA60L Image APT102GA60L Microsemi IGBT 600V 183A 780W TO264 Penyelidikan
APT10SCD120B Image APT10SCD120B Microsemi DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247 Penyelidikan
APT10SCD65K Image APT10SCD65K Microsemi DIODE SILICON 650V 17A TO220 Penyelidikan
APT100MC120JCU2 Image APT100MC120JCU2 Microsemi MOSFET N-CH 1200V 143A ISOTOP Penyelidikan
APT100GT60JRDQ4 Image APT100GT60JRDQ4 Microsemi IGBT 600V 148A 500W SOT227 Penyelidikan
APT10SCD65KCT Microsemi DIODE SILICON 650V 17A TO220 Penyelidikan

Latest Berita