Indonesia
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
Tentang kami | Hubungi kami | Permintaan Penawaran |
Rumah > Produk > Produk Semikonduktor Diskrit > Dioda - Rectifier - Single > APT10SCD120B
APT10SCD120B
APT10SCD120B
Nomor bagian:
APT10SCD120B
Pabrikan:
Microsemi
Deskripsi:
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247
Status Bebas Timbal:
Memimpin bebas / RoHS Compliant
Jumlah stok:
48867 Pieces
Waktu pengiriman:
1-2 days
Lead time:
4-8 weeks
Lembaran data:
APT10SCD120B.pdf
Penyelidikan

pengantar

APT10SCD120B tersedia sekarang!LYNTEAM Technology adalah distributor stocking untuk APT10SCD120B, kami memiliki stok untuk pengiriman segera dan juga tersedia untuk pasokan waktu yang lama.Silakan kirim paket pembelian Anda untuk APT10SCD120B melalui email, kami akan memberikan harga terbaik sesuai rencana Anda.
Beli APT10SCD120B dengan LYNTEAM, hemat uang dan waktu Anda.
Email kami: [email protected]

Spesifikasi

Kondisi New & Original, tested
Negara Asal Contact us
Kode Penandaan Send by email
Tegangan - Forward (Vf) (Max) @ Jika:1.8V @ 10A
Tegangan - DC terbalik (Vr) (Max):1200V
Paket Perangkat pemasok:TO-247
Kecepatan:No Recovery Time > 500mA (Io)
Seri:-
Sebaliknya Pemulihan Waktu (trr):0ns
Pengemasan:Tube
Paket / Case:TO-247-2
Suhu Operasional - Junction:-55°C ~ 150°C
mount Jenis:Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Status Gratis Memimpin / Status RoHS:Lead free / RoHS Compliant
diode Jenis:Silicon Carbide Schottky
Detil Deskripsi:Diode Silicon Carbide Schottky 1200V 36A (DC) Through Hole TO-247
Saat ini - Reverse Kebocoran @ Vr:200µA @ 1200V
Saat ini - rata Rectified (Io):36A (DC)
Kapasitansi @ Vr, F:600pF @ 0V, 1MHz
Email:[email protected]

Cepat Permintaan Penawaran

Nomor bagian
Kuantitas
Perusahaan
E-mail
Telepon
Komentar

bagian terkait untuk APT10SCD120B

Gambar Nomor bagian Produsen Deskripsi Melihat
APT10SCD120K Image APT10SCD120K Microsemi DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220 Penyelidikan
APT11F80B Image APT11F80B Microsemi MOSFET N-CH 800V 12A TO-247 Penyelidikan
APT102GA60B2 Image APT102GA60B2 Microsemi IGBT 600V 183A 780W TO247 Penyelidikan
APT10DC120HJ Image APT10DC120HJ Microsemi DIODE SIC SCHOTTKY 1200V SOT227 Penyelidikan
APT11GF120KRG Microsemi IGBT 1200V 25A 156W TO220 Penyelidikan
APT10M11B2VFRG Image APT10M11B2VFRG Microsemi MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX Penyelidikan
APT10SCD65K Image APT10SCD65K Microsemi DIODE SILICON 650V 17A TO220 Penyelidikan
APT10M11JVRU2 Image APT10M11JVRU2 Microsemi MOSFET N-CH 100V 142A SOT227 Penyelidikan
APT10M07JVR Microsemi MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP Penyelidikan
APT11GF120BRDQ1G Image APT11GF120BRDQ1G Microsemi IGBT 1200V 25A 156W TO247 Penyelidikan
APT10M09B2VFRG Image APT10M09B2VFRG Microsemi MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX Penyelidikan
APT10M11JVR Microsemi MOSFET N-CH 100V 144A ISOTOP Penyelidikan
APT11F80S Image APT11F80S Microsemi MOSFET N-CH 800V 12A D3PAK Penyelidikan
APT11GP60BDQBG Image APT11GP60BDQBG Microsemi IGBT 600V 41A 187W TO247 Penyelidikan
APT10M11JVRU3 Image APT10M11JVRU3 Microsemi MOSFET N-CH 100V 142A SOT227 Penyelidikan
APT10SCD65KCT Microsemi DIODE SILICON 650V 17A TO220 Penyelidikan
APT102GA60L Image APT102GA60L Microsemi IGBT 600V 183A 780W TO264 Penyelidikan
APT106N60B2C6 Image APT106N60B2C6 Microsemi MOSFET N-CH 600V 106A TO-247 Penyelidikan
APT11N80BC3G Image APT11N80BC3G Microsemi MOSFET N-CH 800V 11A TO-247 Penyelidikan
APT10SCD120BCT Image APT10SCD120BCT Microsemi DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247 Penyelidikan

Latest Berita