Ελλάδα
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
Σχετικά με εμάς | Επικοινωνήστε μαζί μας | Ζητήστε προσφορά |
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡΣ - IGBTs - Single > APT11GP60BDQBG
APT11GP60BDQBG
APT11GP60BDQBG
Αριθμός εξαρτήματος:
APT11GP60BDQBG
Κατασκευαστής:
Microsemi
Περιγραφή:
IGBT 600V 41A 187W TO247
Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Ποσότητα αποθέματος:
47931 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days
Χρόνος παράδοσης:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
APT11GP60BDQBG.pdf
Έρευνα

Εισαγωγή

Το APT11GP60BDQBG είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την APT11GP60BDQBG, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το APT11GP60BDQBG μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε APT11GP60BDQBG με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Κατάσταση New & Original, tested
Χώρα προέλευσης Contact us
Κώδικας σήμανσης Send by email
Τάσης - συλλέκτη εκπομπού Ανάλυση (Max):600V
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic:2.7V @ 15V, 11A
Test Condition:400V, 11A, 5 Ohm, 15V
Td (on / off) στους 25 ° C:7ns/29ns
εναλλαγή Ενέργειας:46µJ (on), 90µJ (off)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή:TO-247-3
Σειρά:POWER MOS 7®
Ισχύς - Max:187W
Συσκευασία:Tube
Συσκευασία / υπόθεση:TO-247-3
Θερμοκρασία λειτουργίας:-55°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος:Through Hole
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL):1 (Unlimited)
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Τύπος εισόδου:Standard
IGBT Τύπος:PT
πύλη Χρέωση:40nC
Λεπτομερής περιγραφή:IGBT PT 600V 41A 187W Through Hole TO-247-3
Τρέχουσες - Συλλέκτης παλμικού (ICM):45A
Τρέχουσες - Συλλέκτης (Ic) (Max):41A
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Συναφών ανταλλακτικών για APT11GP60BDQBG

Εικόνα Αριθμός εξαρτήματος Κατασκευαστές Περιγραφή Θέα
APT10SCD65KCT Microsemi DIODE SILICON 650V 17A TO220 Έρευνα
APT1204R7BFLLG Image APT1204R7BFLLG Microsemi MOSFET N-CH 1200V 3.5A TO-247 Έρευνα
APT11N80KC3G Microsemi MOSFET N-CH 800V 11A TO-220 Έρευνα
APT12057JLL Image APT12057JLL Microsemi MOSFET N-CH 1200V 19A SOT227 Έρευνα
APT11F80S Image APT11F80S Microsemi MOSFET N-CH 800V 12A D3PAK Έρευνα
APT10M11JVRU3 Image APT10M11JVRU3 Microsemi MOSFET N-CH 100V 142A SOT227 Έρευνα
APT12057B2LLG Image APT12057B2LLG Microsemi MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX Έρευνα
APT12057B2FLLG Image APT12057B2FLLG Microsemi Corporation MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX Έρευνα
APT11N80BC3G Image APT11N80BC3G Microsemi MOSFET N-CH 800V 11A TO-247 Έρευνα
APT10SCD120B Image APT10SCD120B Microsemi DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247 Έρευνα
APT1201R4BFLLG Image APT1201R4BFLLG Microsemi MOSFET N-CH 1200V 9A TO-247 Έρευνα
APT11F80B Image APT11F80B Microsemi MOSFET N-CH 800V 12A TO-247 Έρευνα
APT11GF120BRDQ1G Image APT11GF120BRDQ1G Microsemi IGBT 1200V 25A 156W TO247 Έρευνα
APT12057LFLLG Image APT12057LFLLG Microsemi MOSFET N-CH 1200V 22A TO-264 Έρευνα
APT1204R7KFLLG Microsemi MOSFET N-CH 1200V 3.5A TO-220 Έρευνα
APT10SCD120BCT Image APT10SCD120BCT Microsemi DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247 Έρευνα
APT11GF120KRG Microsemi IGBT 1200V 25A 156W TO220 Έρευνα
APT12031JFLL Image APT12031JFLL Microsemi MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227 Έρευνα
APT10SCD120K Image APT10SCD120K Microsemi DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220 Έρευνα
APT10SCD65K Image APT10SCD65K Microsemi DIODE SILICON 650V 17A TO220 Έρευνα

Latest Ειδήσεις