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APT11GP60BDQBG
- Modello di prodotti:
- APT11GP60BDQBG
- fabbricante:
- Microsemi
- Descrizione:
- IGBT 600V 41A 187W TO247
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 47931 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- APT11GP60BDQBG.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max): | 600V |
| Vce (on) (max) a VGE, Ic: | 2.7V @ 15V, 11A |
| Condizione di test: | 400V, 11A, 5 Ohm, 15V |
| Td (on / off) @ 25 ° C: | 7ns/29ns |
| di scambio energetico: | 46µJ (on), 90µJ (off) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-247-3 |
| Serie: | POWER MOS 7® |
| Potenza - Max: | 187W |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-247-3 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo di ingresso: | Standard |
| Tipo IGBT: | PT |
| carica gate: | 40nC |
| Descrizione dettagliata: | IGBT PT 600V 41A 187W Through Hole TO-247-3 |
| Corrente - collettore Pulsed (Icm): | 45A |
| Corrente - collettore (Ic) (max): | 41A |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per APT11GP60BDQBG
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
APT10SCD65KCT | Microsemi | DIODE SILICON 650V 17A TO220 | Inchiesta |
 |
APT1204R7BFLLG | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 3.5A TO-247 | Inchiesta |
|
APT11N80KC3G | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 11A TO-220 | Inchiesta |
 |
APT12057JLL | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 19A SOT227 | Inchiesta |
 |
APT11F80S | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 12A D3PAK | Inchiesta |
|
APT10M11JVRU3 | Microsemi | MOSFET N-CH 100V 142A SOT227 | Inchiesta |
|
APT12057B2LLG | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX | Inchiesta |
 |
APT12057B2FLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX | Inchiesta |
|
APT11N80BC3G | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 11A TO-247 | Inchiesta |
 |
APT10SCD120B | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247 | Inchiesta |
|
APT1201R4BFLLG | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 9A TO-247 | Inchiesta |
|
APT11F80B | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 12A TO-247 | Inchiesta |
|
APT11GF120BRDQ1G | Microsemi | IGBT 1200V 25A 156W TO247 | Inchiesta |
 |
APT12057LFLLG | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 22A TO-264 | Inchiesta |
|
APT1204R7KFLLG | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 3.5A TO-220 | Inchiesta |
|
APT10SCD120BCT | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247 | Inchiesta |
|
APT11GF120KRG | Microsemi | IGBT 1200V 25A 156W TO220 | Inchiesta |
|
APT12031JFLL | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227 | Inchiesta |
 |
APT10SCD120K | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220 | Inchiesta |
|
APT10SCD65K | Microsemi | DIODE SILICON 650V 17A TO220 | Inchiesta |
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