Português
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
Sobre Nós | Contacte-nos | Solicitar um orçamento |
Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - IGBTs - Single > APT11GP60BDQBG
APT11GP60BDQBG
APT11GP60BDQBG
Modelo do Produto:
APT11GP60BDQBG
Fabricante:
Microsemi
Descrição:
IGBT 600V 41A 187W TO247
Status sem chumbo:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
47931 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
APT11GP60BDQBG.pdf
inquérito

Introdução

APT11GP60BDQBG está disponível agora!A tecnologia LYNTEAM é o distribuidor de meia para APT11GP60BDQBG, temos as ações para envio imediato e também disponível por um longo período de tempo.Por favor, envie-nos o seu plano de compra para APT11GP60BDQBG por e-mail, vamos dar-lhe um melhor preço de acordo com o seu plano.
Compre APT11GP60BDQBG com LYNTEAM, economize seu dinheiro e tempo.
Nosso email: [email protected]

Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):600V
Vce (on) (Max) @ VGE, Ic:2.7V @ 15V, 11A
Condição de teste:400V, 11A, 5 Ohm, 15V
Td (ligar / desligar) @ 25 ° C:7ns/29ns
Alternando Energia:46µJ (on), 90µJ (off)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-247-3
Série:POWER MOS 7®
Power - Max:187W
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-247-3
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Tipo de entrada:Standard
Tipo de IGBT:PT
portão de carga:40nC
Descrição detalhada:IGBT PT 600V 41A 187W Through Hole TO-247-3
Atual - Collector Pulsada (ICM):45A
Atual - Collector (Ic) (Max):41A
Email:[email protected]

Pedido de Orçamento Rápido

Modelo do Produto
Quantidade
Empresa
O email
Telefone
Observações

Peças relacionadas para APT11GP60BDQBG

Imagem Modelo do Produto Fabricantes Descrição Visão
APT10SCD65KCT Microsemi DIODE SILICON 650V 17A TO220 inquérito
APT1204R7BFLLG Image APT1204R7BFLLG Microsemi MOSFET N-CH 1200V 3.5A TO-247 inquérito
APT11N80KC3G Microsemi MOSFET N-CH 800V 11A TO-220 inquérito
APT12057JLL Image APT12057JLL Microsemi MOSFET N-CH 1200V 19A SOT227 inquérito
APT11F80S Image APT11F80S Microsemi MOSFET N-CH 800V 12A D3PAK inquérito
APT10M11JVRU3 Image APT10M11JVRU3 Microsemi MOSFET N-CH 100V 142A SOT227 inquérito
APT12057B2LLG Image APT12057B2LLG Microsemi MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX inquérito
APT12057B2FLLG Image APT12057B2FLLG Microsemi Corporation MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX inquérito
APT11N80BC3G Image APT11N80BC3G Microsemi MOSFET N-CH 800V 11A TO-247 inquérito
APT10SCD120B Image APT10SCD120B Microsemi DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247 inquérito
APT1201R4BFLLG Image APT1201R4BFLLG Microsemi MOSFET N-CH 1200V 9A TO-247 inquérito
APT11F80B Image APT11F80B Microsemi MOSFET N-CH 800V 12A TO-247 inquérito
APT11GF120BRDQ1G Image APT11GF120BRDQ1G Microsemi IGBT 1200V 25A 156W TO247 inquérito
APT12057LFLLG Image APT12057LFLLG Microsemi MOSFET N-CH 1200V 22A TO-264 inquérito
APT1204R7KFLLG Microsemi MOSFET N-CH 1200V 3.5A TO-220 inquérito
APT10SCD120BCT Image APT10SCD120BCT Microsemi DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247 inquérito
APT11GF120KRG Microsemi IGBT 1200V 25A 156W TO220 inquérito
APT12031JFLL Image APT12031JFLL Microsemi MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227 inquérito
APT10SCD120K Image APT10SCD120K Microsemi DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220 inquérito
APT10SCD65K Image APT10SCD65K Microsemi DIODE SILICON 650V 17A TO220 inquérito

Latest Notícias