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APT12057JLL
- Modello di prodotti:
- APT12057JLL
- fabbricante:
- Microsemi
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 1200V 19A SOT227
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 49470 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- APT12057JLL.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Vgs (th) (max) a Id: | 5V @ 2.5mA |
| Vgs (Max): | ±30V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | SOT-227 |
| Serie: | POWER MOS 7® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 570 mOhm @ 10A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 520W (Tc) |
| imballaggio: | Bulk |
| Contenitore / involucro: | SOT-227-4, miniBLOC |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Chassis Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 6200pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 290nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 1200V |
| Descrizione dettagliata: | N-Channel 1200V 19A (Tc) 520W (Tc) Chassis Mount SOT-227 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 19A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per APT12057JLL
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
APT1211 | Panasonic | OPTOISOLATOR 5KV TRIAC 4DIP | Inchiesta |
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APT12057LFLLG | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 22A TO-264 | Inchiesta |
 |
APT12057B2FLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX | Inchiesta |
 |
APT12067JLL | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 17A SOT227 | Inchiesta |
 |
APT12080JVR | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 15A ISOTOP | Inchiesta |
 |
APT1204R7BFLLG | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 3.5A TO-247 | Inchiesta |
|
APT1201R4BFLLG | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 9A TO-247 | Inchiesta |
|
APT12067B2FLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1200V 18A T-MAX | Inchiesta |
|
APT12067B2LLG | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 18A T-MAX | Inchiesta |
 |
APT1211AZ | Panasonic | OPTOISOLATOR 5KV TRIAC 4DIP | Inchiesta |
|
APT11N80BC3G | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 11A TO-247 | Inchiesta |
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APT12031JFLL | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227 | Inchiesta |
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APT1211S | Panasonic | OPTOISOLATOR 3.75KV TRIAC 4SOP | Inchiesta |
|
APT11GP60BDQBG | Microsemi | IGBT 600V 41A 187W TO247 | Inchiesta |
|
APT12057B2LLG | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX | Inchiesta |
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APT1204R7KFLLG | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 3.5A TO-220 | Inchiesta |
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APT11GF120KRG | Microsemi | IGBT 1200V 25A 156W TO220 | Inchiesta |
|
APT1211A | Panasonic | OPTOISOLATOR 5KV TRIAC 4SMD | Inchiesta |
|
APT11N80KC3G | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 11A TO-220 | Inchiesta |
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APT1211AX | Panasonic | OPTOISOLATOR 5KV TRIAC 4DIP | Inchiesta |
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