APT10SCD120K è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per APT10SCD120K, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per APT10SCD120K via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista APT10SCD120K con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
APT10SCD120K
- Modello di prodotti:
- APT10SCD120K
- fabbricante:
- Microsemi
- Descrizione:
- DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS non conforme
- Quantità di magazzino:
- 43918 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- APT10SCD120K.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Tensione - diretta (Vf) (max) a If: | 1.5V @ 10A |
| Tensione - inversa (Vr) (max): | 1200V |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-220 |
| Velocità: | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Serie: | - |
| Tempo di ripristino inverso (trr): | 0ns |
| imballaggio: | Bulk |
| Contenitore / involucro: | TO-220-2 |
| Temperatura di funzionamento - Giunzione: | - |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS non-compliant |
| Tipo diodo: | Silicon Carbide Schottky |
| Descrizione dettagliata: | Diode Silicon Carbide Schottky 1200V 10A Through Hole TO-220 |
| Corrente - raddrizzata media (Io): | 10A |
| Capacità a Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per APT10SCD120K
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
APT10M11B2VFRG | Microsemi | MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX | Inchiesta |
 |
APT10M11JVR | Microsemi | MOSFET N-CH 100V 144A ISOTOP | Inchiesta |
|
APT10M07JVR | Microsemi | MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP | Inchiesta |
 |
APT10M11JVRU2 | Microsemi | MOSFET N-CH 100V 142A SOT227 | Inchiesta |
|
APT10SCD65KCT | Microsemi | DIODE SILICON 650V 17A TO220 | Inchiesta |
 |
APT10DC120HJ | Microsemi | DIODE SIC SCHOTTKY 1200V SOT227 | Inchiesta |
 |
APT10SCD120BCT | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247 | Inchiesta |
 |
APT10SCD65K | Microsemi | DIODE SILICON 650V 17A TO220 | Inchiesta |
|
APT11F80B | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 12A TO-247 | Inchiesta |
|
APT1201R4BFLLG | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 9A TO-247 | Inchiesta |
|
APT11GP60BDQBG | Microsemi | IGBT 600V 41A 187W TO247 | Inchiesta |
|
APT11GF120BRDQ1G | Microsemi | IGBT 1200V 25A 156W TO247 | Inchiesta |
 |
APT11F80S | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 12A D3PAK | Inchiesta |
|
APT11N80BC3G | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 11A TO-247 | Inchiesta |
|
APT106N60B2C6 | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 106A TO-247 | Inchiesta |
|
APT11GF120KRG | Microsemi | IGBT 1200V 25A 156W TO220 | Inchiesta |
|
APT11N80KC3G | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 11A TO-220 | Inchiesta |
|
APT10M11JVRU3 | Microsemi | MOSFET N-CH 100V 142A SOT227 | Inchiesta |
 |
APT10SCD120B | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247 | Inchiesta |
|
APT10M09B2VFRG | Microsemi | MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX | Inchiesta |
Latest Notizie
- Il piano di Micron di costruire una memoria di fabbrica, NAND Flash a prezzi o manutenzione elevati
- Le prestazioni ADI sono ridotte, i substrati in lamina di rame sono aumentati, lo stoccaggio di fabbrica originale aumenta la produzione conservativa
- L'ondata di intelligenza nell'auto sta arrivando e Aimus Oslang ha aiutato Sagita Juguang a rilasciare MX Lidar
- La capacità di produzione di HBM è esclusa, la memoria DRAM potrebbe essere scarsa nella seconda metà dell'anno
- I fondatori di muro finiranno, HBM o farà risalire la DRAM
- Domanda di espansione di telefonia mobile e PC, miglioramento del settore della produzione di semiconduttori globali
- Comprendere le esigenze degli ADA e dei sistemi di monitoraggio della cabina per i sensori di immagine di sicurezza della rete
- Si dice che Samsung e SK Hynix abbiano fermato DDR3 e la citazione di promozione è aumentata del 20 %
- Melexis rilasciata MLX90427: controllo della linea a nuova scelta, sicuro, efficiente ed economico
- La relazione finanziaria di NXP e Ansonmei ha annunciato e il prezzo dei prezzi del rame viene trasmesso all'industria IC
- Moels Micro Electronics ha creato nuovi uffici a Taiwan, in Cina per espandere il territorio degli affari
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash