ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ไดโอด - Rectifiers - โทนเดียว > APT10SCD120K
APT10SCD120K
APT10SCD120K
รุ่นผลิตภัณฑ์:
APT10SCD120K
ผู้ผลิต:
Microsemi
ลักษณะ:
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220
สถานะตะกั่วฟรี:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS
ปริมาณสต็อค:
43918 Pieces
เวลาจัดส่ง:
1-2 days
เวลานำ:
4-8 weeks
แผ่นข้อมูล:
APT10SCD120K.pdf
การสอบสวน

บทนำ

APT10SCD120K พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ APT10SCD120K เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ APT10SCD120K ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ APT10SCD120K ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]

ขนาด

เงื่อนไข New & Original, tested
ประเทศต้นกำเนิด Contact us
รหัสการทำเครื่องหมาย Send by email
แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก:1.5V @ 10A
แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด):1200V
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:TO-220
ความเร็ว:No Recovery Time > 500mA (Io)
ชุด:-
ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR):0ns
บรรจุภัณฑ์:Bulk
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-220-2
อุณหภูมิในการทำงาน - Junction:-
ประเภทการติดตั้ง:Through Hole
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:Lead free / RoHS non-compliant
ประเภทไดโอด:Silicon Carbide Schottky
คำอธิบายโดยละเอียด:Diode Silicon Carbide Schottky 1200V 10A Through Hole TO-220
ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ):10A
การประจุกระแสไฟ @ Vr, F:-
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ APT10SCD120K

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
APT10M11B2VFRG Image APT10M11B2VFRG Microsemi MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX การสอบสวน
APT10M11JVR Microsemi MOSFET N-CH 100V 144A ISOTOP การสอบสวน
APT10M07JVR Microsemi MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP การสอบสวน
APT10M11JVRU2 Image APT10M11JVRU2 Microsemi MOSFET N-CH 100V 142A SOT227 การสอบสวน
APT10SCD65KCT Microsemi DIODE SILICON 650V 17A TO220 การสอบสวน
APT10DC120HJ Image APT10DC120HJ Microsemi DIODE SIC SCHOTTKY 1200V SOT227 การสอบสวน
APT10SCD120BCT Image APT10SCD120BCT Microsemi DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247 การสอบสวน
APT10SCD65K Image APT10SCD65K Microsemi DIODE SILICON 650V 17A TO220 การสอบสวน
APT11F80B Image APT11F80B Microsemi MOSFET N-CH 800V 12A TO-247 การสอบสวน
APT1201R4BFLLG Image APT1201R4BFLLG Microsemi MOSFET N-CH 1200V 9A TO-247 การสอบสวน
APT11GP60BDQBG Image APT11GP60BDQBG Microsemi IGBT 600V 41A 187W TO247 การสอบสวน
APT11GF120BRDQ1G Image APT11GF120BRDQ1G Microsemi IGBT 1200V 25A 156W TO247 การสอบสวน
APT11F80S Image APT11F80S Microsemi MOSFET N-CH 800V 12A D3PAK การสอบสวน
APT11N80BC3G Image APT11N80BC3G Microsemi MOSFET N-CH 800V 11A TO-247 การสอบสวน
APT106N60B2C6 Image APT106N60B2C6 Microsemi MOSFET N-CH 600V 106A TO-247 การสอบสวน
APT11GF120KRG Microsemi IGBT 1200V 25A 156W TO220 การสอบสวน
APT11N80KC3G Microsemi MOSFET N-CH 800V 11A TO-220 การสอบสวน
APT10M11JVRU3 Image APT10M11JVRU3 Microsemi MOSFET N-CH 100V 142A SOT227 การสอบสวน
APT10SCD120B Image APT10SCD120B Microsemi DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247 การสอบสวน
APT10M09B2VFRG Image APT10M09B2VFRG Microsemi MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX การสอบสวน

ข่าว Latest