ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFET - Single > APT10M11JVRU2
APT10M11JVRU2
APT10M11JVRU2
รุ่นผลิตภัณฑ์:
APT10M11JVRU2
ผู้ผลิต:
Microsemi
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 100V 142A SOT227
สถานะตะกั่วฟรี:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณสต็อค:
28084 Pieces
เวลาจัดส่ง:
1-2 days
เวลานำ:
4-8 weeks
แผ่นข้อมูล:
1.APT10M11JVRU2.pdf2.APT10M11JVRU2.pdf
การสอบสวน

บทนำ

APT10M11JVRU2 พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ APT10M11JVRU2 เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ APT10M11JVRU2 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ APT10M11JVRU2 ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]

ขนาด

เงื่อนไข New & Original, tested
ประเทศต้นกำเนิด Contact us
รหัสการทำเครื่องหมาย Send by email
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:4V @ 2.5mA
Vgs (สูงสุด):±30V
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:SOT-227
ชุด:-
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:11 mOhm @ 71A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):450W (Tc)
บรรจุภัณฑ์:Bulk
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:SOT-227-4, miniBLOC
ชื่ออื่น:APT10M11JVRU2MI
APT10M11JVRU2MI-ND
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Chassis Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:32 Weeks
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:8600pF @ 25V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:300nC @ 10V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On):10V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):100V
คำอธิบายโดยละเอียด:N-Channel 100V 142A (Tc) 450W (Tc) Chassis Mount SOT-227
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:142A (Tc)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ APT10M11JVRU2

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
APT106N60B2C6 Image APT106N60B2C6 Microsemi MOSFET N-CH 600V 106A TO-247 การสอบสวน
APT10M09B2VFRG Image APT10M09B2VFRG Microsemi MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX การสอบสวน
APT100S20LCTG Image APT100S20LCTG Microsemi DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO264 การสอบสวน
APT11F80S Image APT11F80S Microsemi MOSFET N-CH 800V 12A D3PAK การสอบสวน
APT10DC120HJ Image APT10DC120HJ Microsemi DIODE SIC SCHOTTKY 1200V SOT227 การสอบสวน
APT10M11JVR Microsemi MOSFET N-CH 100V 144A ISOTOP การสอบสวน
APT102GA60L Image APT102GA60L Microsemi IGBT 600V 183A 780W TO264 การสอบสวน
APT10M11JVRU3 Image APT10M11JVRU3 Microsemi MOSFET N-CH 100V 142A SOT227 การสอบสวน
APT10M11B2VFRG Image APT10M11B2VFRG Microsemi MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX การสอบสวน
APT10SCD120K Image APT10SCD120K Microsemi DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220 การสอบสวน
APT10M07JVR Microsemi MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP การสอบสวน
APT10SCD65K Image APT10SCD65K Microsemi DIODE SILICON 650V 17A TO220 การสอบสวน
APT100S20BG Image APT100S20BG Microsemi DIODE SCHOTTKY 200V 120A TO247 การสอบสวน
APT10SCD120B Image APT10SCD120B Microsemi DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247 การสอบสวน
APT11GF120BRDQ1G Image APT11GF120BRDQ1G Microsemi IGBT 1200V 25A 156W TO247 การสอบสวน
APT10SCD120BCT Image APT10SCD120BCT Microsemi DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247 การสอบสวน
APT10SCD65KCT Microsemi DIODE SILICON 650V 17A TO220 การสอบสวน
APT11F80B Image APT11F80B Microsemi MOSFET N-CH 800V 12A TO-247 การสอบสวน
APT11GF120KRG Microsemi IGBT 1200V 25A 156W TO220 การสอบสวน
APT102GA60B2 Image APT102GA60B2 Microsemi IGBT 600V 183A 780W TO247 การสอบสวน

ข่าว Latest