APT10SCD120K je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro APT10SCD120K, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro APT10SCD120K e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si APT10SCD120K s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
APT10SCD120K
- Part Number:
- APT10SCD120K
- Výrobce:
- Microsemi
- Popis:
- DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220
- Vedoucí volný stav:
- Lead free / RoHS není v souladu
- Množství zásob:
- 43918 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- APT10SCD120K.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - Forward (VF) (Max) @-li: | 1.5V @ 10A |
| Napětí - DC Reverse (Vr) (Max): | 1200V |
| Dodavatel zařízení Package: | TO-220 |
| Rychlost: | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Série: | - |
| Reverse Time Recovery (TRR): | 0ns |
| Obal: | Bulk |
| Paket / krabice: | TO-220-2 |
| Provozní teplota - spojení: | - |
| Typ montáže: | Through Hole |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS non-compliant |
| Diode Type: | Silicon Carbide Schottky |
| Detailní popis: | Diode Silicon Carbide Schottky 1200V 10A Through Hole TO-220 |
| Proud - Průměrná Rektifikova (Io): | 10A |
| Kapacitní @ Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro APT10SCD120K
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
APT10M11B2VFRG | Microsemi | MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX | Dotaz |
 |
APT10M11JVR | Microsemi | MOSFET N-CH 100V 144A ISOTOP | Dotaz |
|
APT10M07JVR | Microsemi | MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP | Dotaz |
 |
APT10M11JVRU2 | Microsemi | MOSFET N-CH 100V 142A SOT227 | Dotaz |
|
APT10SCD65KCT | Microsemi | DIODE SILICON 650V 17A TO220 | Dotaz |
 |
APT10DC120HJ | Microsemi | DIODE SIC SCHOTTKY 1200V SOT227 | Dotaz |
 |
APT10SCD120BCT | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247 | Dotaz |
 |
APT10SCD65K | Microsemi | DIODE SILICON 650V 17A TO220 | Dotaz |
|
APT11F80B | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 12A TO-247 | Dotaz |
|
APT1201R4BFLLG | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 9A TO-247 | Dotaz |
|
APT11GP60BDQBG | Microsemi | IGBT 600V 41A 187W TO247 | Dotaz |
|
APT11GF120BRDQ1G | Microsemi | IGBT 1200V 25A 156W TO247 | Dotaz |
 |
APT11F80S | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 12A D3PAK | Dotaz |
|
APT11N80BC3G | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 11A TO-247 | Dotaz |
|
APT106N60B2C6 | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 106A TO-247 | Dotaz |
|
APT11GF120KRG | Microsemi | IGBT 1200V 25A 156W TO220 | Dotaz |
|
APT11N80KC3G | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 11A TO-220 | Dotaz |
|
APT10M11JVRU3 | Microsemi | MOSFET N-CH 100V 142A SOT227 | Dotaz |
 |
APT10SCD120B | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247 | Dotaz |
|
APT10M09B2VFRG | Microsemi | MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX | Dotaz |
Latest News
- Výkon ADI je snížen, vzrostly substráty měděné fólie, skladování původní výroby továrny Konzervativní
- Vlna inteligence v autě přichází a Aimus Oslang pomohl Sagita Juguang uvolnit MX Lidar
- Výrobní kapacita HBM je vyloučena, paměť DRAM může být v druhé polovině roku nedostatečná
- Zakladatelé zdi skončí, HBM nebo způsobí, že se opět zvýší DRAM
- Poptávka po mobilním telefonu a expanzi PC, globální polovodičové výroby průmyslu
- Pochopte potřeby systémů monitorování ADAS a kabiny pro obrazové senzory zabezpečení sítě
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila