Čeština
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
O nás | Kontaktujte nás | Požádejte o nabídku |
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > APT10M11JVRU3
APT10M11JVRU3
APT10M11JVRU3
Part Number:
APT10M11JVRU3
Výrobce:
Microsemi
Popis:
MOSFET N-CH 100V 142A SOT227
Vedoucí volný stav:
Bez olova / V souladu RoHS
Množství zásob:
49867 Pieces
Čas doručení:
1-2 days
Dodací lhůta:
4-8 weeks
Datový list:
1.APT10M11JVRU3.pdf2.APT10M11JVRU3.pdf
Dotaz

Úvod

APT10M11JVRU3 je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro APT10M11JVRU3, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro APT10M11JVRU3 e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si APT10M11JVRU3 s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]

Specifikace

Stav New & Original, tested
Země původu Contact us
Označovací kód Send by email
Vgs (th) (max) 'Id:4V @ 2.5mA
Vgs (Max):±30V
Technika:MOSFET (Metal Oxide)
Dodavatel zařízení Package:SOT-227
Série:-
RDS On (Max) @ Id, Vgs:11 mOhm @ 71A, 10V
Ztráta energie (Max):450W (Tc)
Obal:Bulk
Paket / krabice:SOT-227-4, miniBLOC
Ostatní jména:APT10M11JVRU3MI
APT10M11JVRU3MI-ND
Provozní teplota:-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže:Chassis Mount
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):1 (Unlimited)
Výrobní standardní doba výroby:32 Weeks
Stav volného vedení / RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:8600pF @ 25V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs:300nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET Feature:-
Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.):10V
Drain na zdroj napětí (Vdss):100V
Detailní popis:N-Channel 100V 142A (Tc) 450W (Tc) Chassis Mount SOT-227
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C:142A (Tc)
Email:[email protected]

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře

Související díly pro APT10M11JVRU3

Obraz Part Number Výrobci Popis Pohled
APT11GF120KRG Microsemi IGBT 1200V 25A 156W TO220 Dotaz
APT10M07JVR Microsemi MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP Dotaz
APT10DC120HJ Image APT10DC120HJ Microsemi DIODE SIC SCHOTTKY 1200V SOT227 Dotaz
APT11F80B Image APT11F80B Microsemi MOSFET N-CH 800V 12A TO-247 Dotaz
APT10SCD65K Image APT10SCD65K Microsemi DIODE SILICON 650V 17A TO220 Dotaz
APT11GP60BDQBG Image APT11GP60BDQBG Microsemi IGBT 600V 41A 187W TO247 Dotaz
APT10SCD120BCT Image APT10SCD120BCT Microsemi DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247 Dotaz
APT106N60B2C6 Image APT106N60B2C6 Microsemi MOSFET N-CH 600V 106A TO-247 Dotaz
APT102GA60B2 Image APT102GA60B2 Microsemi IGBT 600V 183A 780W TO247 Dotaz
APT10SCD65KCT Microsemi DIODE SILICON 650V 17A TO220 Dotaz
APT100S20LCTG Image APT100S20LCTG Microsemi DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO264 Dotaz
APT11GF120BRDQ1G Image APT11GF120BRDQ1G Microsemi IGBT 1200V 25A 156W TO247 Dotaz
APT10M09B2VFRG Image APT10M09B2VFRG Microsemi MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX Dotaz
APT10M11B2VFRG Image APT10M11B2VFRG Microsemi MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX Dotaz
APT10SCD120B Image APT10SCD120B Microsemi DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247 Dotaz
APT11F80S Image APT11F80S Microsemi MOSFET N-CH 800V 12A D3PAK Dotaz
APT10M11JVRU2 Image APT10M11JVRU2 Microsemi MOSFET N-CH 100V 142A SOT227 Dotaz
APT102GA60L Image APT102GA60L Microsemi IGBT 600V 183A 780W TO264 Dotaz
APT10SCD120K Image APT10SCD120K Microsemi DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220 Dotaz
APT10M11JVR Microsemi MOSFET N-CH 100V 144A ISOTOP Dotaz

Latest News