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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > PMZB670UPE,315
PMZB670UPE,315
PMZB670UPE,315
Modèle de produit:
PMZB670UPE,315
Fabricant:
Nexperia
La description:
MOSFET P-CH 20V 680MA DFN1006B-3
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
49549 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
PMZB670UPE,315.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
Pays d'origine Contact us
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Vgs (th) (Max) @ Id:1.3V @ 250µA
Vgs (Max):±8V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:DFN1006B-3
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:850 mOhm @ 400mA, 4.5V
Dissipation de puissance (max):360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:3-XFDFN
Autres noms:1727-1380-2
568-10845-2
568-10845-2-ND
934065872315
PMZB670UPE,315-ND
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:8 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:87pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:1.14nC @ 4.5V
type de FET:P-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):1.8V, 4.5V
Tension drain-source (Vdss):20V
Description détaillée:P-Channel 20V 680mA (Ta) 360mW (Ta), 2.7W (Tc) Surface Mount DFN1006B-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:680mA (Ta)
Email:[email protected]

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