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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > PMZB600UNEYL
PMZB600UNEYL
PMZB600UNEYL
Modèle de produit:
PMZB600UNEYL
Fabricant:
Nexperia
La description:
MOSFET N-CH 20V 3QFN
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
21038 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
PMZB600UNEYL.pdf
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Spécifications

État New & Original, tested
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Vgs (th) (Max) @ Id:950mV @ 250µA
Vgs (Max):±8V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:DFN1006B-3
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:620 mOhm @ 600mA, 4.5V
Dissipation de puissance (max):360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:3-XFDFN
Autres noms:1727-2332-2
568-12618-2
568-12618-2-ND
934068788315
PMZB600UNEYL-ND
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:8 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:21.3pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:0.7nC @ 4.5V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):1.2V, 4.5V
Tension drain-source (Vdss):20V
Description détaillée:N-Channel 20V 600mA (Ta) 360mW (Ta), 2.7W (Tc) Surface Mount DFN1006B-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:600mA (Ta)
Email:[email protected]

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