Το PMZB600UNEYL είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την PMZB600UNEYL, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το PMZB600UNEYL μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε PMZB600UNEYL με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
PMZB600UNEYL
- Αριθμός εξαρτήματος:
- PMZB600UNEYL
- Κατασκευαστής:
- Nexperia
- Περιγραφή:
- MOSFET N-CH 20V 3QFN
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 21038 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- PMZB600UNEYL.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 950mV @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±8V |
| Τεχνολογία: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | DFN1006B-3 |
| Σειρά: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 620 mOhm @ 600mA, 4.5V |
| Έκλυση ενέργειας (Max): | 360mW (Ta), 2.7W (Tc) |
| Συσκευασία: | Tape & Reel (TR) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | 3-XFDFN |
| Αλλα ονόματα: | 1727-2332-2 568-12618-2 568-12618-2-ND 934068788315 PMZB600UNEYL-ND |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 8 Weeks |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds: | 21.3pF @ 10V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs: | 0.7nC @ 4.5V |
| FET Τύπος: | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό: | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On): | 1.2V, 4.5V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss): | 20V |
| Λεπτομερής περιγραφή: | N-Channel 20V 600mA (Ta) 360mW (Ta), 2.7W (Tc) Surface Mount DFN1006B-3 |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C: | 600mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για PMZB600UNEYL
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
PMZB670UPE,315 | Nexperia | MOSFET P-CH 20V 680MA DFN1006B-3 | Έρευνα |
|
PMZB300XN,315 | Nexperia | MOSFET N-CH 20V 1A 3DFN | Έρευνα |
|
PMZB350UPE,315 | Nexperia | MOSFET P-CH 20V 1A 3DFN | Έρευνα |
|
PMZB200UNEYL | Nexperia | MOSFET N-CH 30V SOT883 | Έρευνα |
|
PMZB550UNEYL | Nexperia | MOSFET N-CH 30V SOT883 | Έρευνα |
|
PMZB150UNEYL | Nexperia | MOSFET N-CH 20V SOT883 | Έρευνα |
|
PMZB370UNE,315 | Nexperia | MOSFET N-CH 30V 0.9A DFN1006B-3 | Έρευνα |
 |
PMZ950UPEYL | Nexperia | MOSFET P-CH 20V 0.5A XQFN3 | Έρευνα |
|
PMZB390UNEYL | Nexperia | MOSFET N-CH 30V SGL XQFN3 | Έρευνα |
|
PMZB380XN,315 | Nexperia | MOSFET N-CH 30V SGL 3DFN | Έρευνα |
|
PMZB1200UPEYL | Nexperia | MOSFET P-CH 30V SOT883 | Έρευνα |
|
PMZB790SN,315 | Nexperia | MOSFET N-CH 60V SGL 3DFN | Έρευνα |
|
PMZB420UN,315 | Nexperia | MOSFET N-CH 30V SGL 3DFN | Έρευνα |
|
PMZB950UPELYL | Nexperia | MOSFET P-CH 20V 500MA 3DFN1006B | Έρευνα |
|
PMZB290UNE2YL | Nexperia | MOSFET N-CH 20V 1.2A XQFN3 | Έρευνα |
|
PMZB290UN,315 | Nexperia | MOSFET N-CH 20V 1A 3DFN | Έρευνα |
|
PMZB600UNELYL | Nexperia | MOSFET N-CH 20V 600MA 3DFN1006B | Έρευνα |
|
PMZB950UPEYL | Nexperia | MOSFET P-CH 20V 3QFN | Έρευνα |
|
PMZB290UNE,315 | Nexperia | MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006B-3 | Έρευνα |
|
PMZB320UPEYL | Nexperia | MOSFET P-CH 30V SOT883 | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο
- Το microchip επιτρέπει την παραγωγική ικανότητα του TSMC και αυξάνει τις αυξήσεις των τιμών
- Η Ruisa ξεκίνησε το νέο RA0 Series Ultra -Low Power Entry -Level MCU