Ελλάδα
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
Σχετικά με εμάς | Επικοινωνήστε μαζί μας | Ζητήστε προσφορά |
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > PMZB370UNE,315
PMZB370UNE,315
PMZB370UNE,315
Αριθμός εξαρτήματος:
PMZB370UNE,315
Κατασκευαστής:
Nexperia
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 30V 0.9A DFN1006B-3
Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Ποσότητα αποθέματος:
22743 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days
Χρόνος παράδοσης:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
PMZB370UNE,315.pdf
Έρευνα

Εισαγωγή

Το PMZB370UNE,315 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την PMZB370UNE,315, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το PMZB370UNE,315 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε PMZB370UNE,315 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Κατάσταση New & Original, tested
Χώρα προέλευσης Contact us
Κώδικας σήμανσης Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:1.05V @ 250µA
Vgs (Max):±8V
Τεχνολογία:MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή:DFN1006B-3
Σειρά:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:490 mOhm @ 500mA, 4.5V
Έκλυση ενέργειας (Max):360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Συσκευασία:Tape & Reel (TR)
Συσκευασία / υπόθεση:3-XFDFN
Αλλα ονόματα:1727-1379-2
568-10842-2
568-10842-2-ND
934065874315
PMZB370UNE,315-ND
Θερμοκρασία λειτουργίας:-55°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος:Surface Mount
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL):1 (Unlimited)
Κατασκευαστής Standard Lead Time:8 Weeks
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds:78pF @ 25V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs:1.16nC @ 15V
FET Τύπος:N-Channel
FET Χαρακτηριστικό:-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On):1.8V, 4.5V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss):30V
Λεπτομερής περιγραφή:N-Channel 30V 900mA (Ta) 360mW (Ta), 2.7W (Tc) Surface Mount DFN1006B-3
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C:900mA (Ta)
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Συναφών ανταλλακτικών για PMZB370UNE,315

Εικόνα Αριθμός εξαρτήματος Κατασκευαστές Περιγραφή Θέα
PMZB150UNEYL Image PMZB150UNEYL Nexperia MOSFET N-CH 20V SOT883 Έρευνα
PMZB550UNEYL Image PMZB550UNEYL Nexperia MOSFET N-CH 30V SOT883 Έρευνα
PMZB290UNE,315 Image PMZB290UNE,315 Nexperia MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006B-3 Έρευνα
PMZB350UPE,315 Image PMZB350UPE,315 Nexperia MOSFET P-CH 20V 1A 3DFN Έρευνα
PMZB950UPELYL Image PMZB950UPELYL Nexperia MOSFET P-CH 20V 500MA 3DFN1006B Έρευνα
PMZB200UNEYL Image PMZB200UNEYL Nexperia MOSFET N-CH 30V SOT883 Έρευνα
PMZB320UPEYL Image PMZB320UPEYL Nexperia MOSFET P-CH 30V SOT883 Έρευνα
PMZB380XN,315 Image PMZB380XN,315 Nexperia MOSFET N-CH 30V SGL 3DFN Έρευνα
PMZB290UNE2YL Image PMZB290UNE2YL Nexperia MOSFET N-CH 20V 1.2A XQFN3 Έρευνα
PMZB600UNEYL Image PMZB600UNEYL Nexperia MOSFET N-CH 20V 3QFN Έρευνα
PMZB390UNEYL Image PMZB390UNEYL Nexperia MOSFET N-CH 30V SGL XQFN3 Έρευνα
PMZB420UN,315 Image PMZB420UN,315 Nexperia MOSFET N-CH 30V SGL 3DFN Έρευνα
PMZB300XN,315 Image PMZB300XN,315 Nexperia MOSFET N-CH 20V 1A 3DFN Έρευνα
PMZB290UN,315 Image PMZB290UN,315 Nexperia MOSFET N-CH 20V 1A 3DFN Έρευνα
PMZB1200UPEYL Image PMZB1200UPEYL Nexperia MOSFET P-CH 30V SOT883 Έρευνα
PMZB600UNELYL Image PMZB600UNELYL Nexperia MOSFET N-CH 20V 600MA 3DFN1006B Έρευνα
PMZB790SN,315 Image PMZB790SN,315 Nexperia MOSFET N-CH 60V SGL 3DFN Έρευνα
PMZ950UPEYL Image PMZ950UPEYL Nexperia MOSFET P-CH 20V 0.5A XQFN3 Έρευνα
PMZB950UPEYL Image PMZB950UPEYL Nexperia MOSFET P-CH 20V 3QFN Έρευνα
PMZB670UPE,315 Image PMZB670UPE,315 Nexperia MOSFET P-CH 20V 680MA DFN1006B-3 Έρευνα

Latest Ειδήσεις