Το PMZB1200UPEYL είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την PMZB1200UPEYL, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το PMZB1200UPEYL μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε PMZB1200UPEYL με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
PMZB1200UPEYL
- Αριθμός εξαρτήματος:
- PMZB1200UPEYL
- Κατασκευαστής:
- Nexperia
- Περιγραφή:
- MOSFET P-CH 30V SOT883
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 36427 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- PMZB1200UPEYL.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 950mV @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±8V |
| Τεχνολογία: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | DFN1006B-3 |
| Σειρά: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 1.4 Ohm @ 410mA, 4.5V |
| Έκλυση ενέργειας (Max): | 310mW (Ta), 1.67W (Tc) |
| Συσκευασία: | Tape & Reel (TR) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | 3-XFDFN |
| Αλλα ονόματα: | 1727-2325-2 568-12611-2 568-12611-2-ND 934069332315 |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 8 Weeks |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds: | 43.2pF @ 15V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs: | 1.2nC @ 4.5V |
| FET Τύπος: | P-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό: | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On): | 1.5V, 4.5V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss): | 30V |
| Λεπτομερής περιγραφή: | P-Channel 30V 410mA (Ta) 310mW (Ta), 1.67W (Tc) Surface Mount DFN1006B-3 |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C: | 410mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για PMZB1200UPEYL
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
PMZ390UNEYL | Nexperia | MOSFET N-CH 30V 0.9A XQFN3 | Έρευνα |
 |
PMZB300XN,315 | Nexperia | MOSFET N-CH 20V 1A 3DFN | Έρευνα |
|
PMZB290UNE,315 | Nexperia | MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006B-3 | Έρευνα |
|
PMZ950UPELYL | Nexperia | 20 V, P-CHANNEL TRENCH MOSFET | Έρευνα |
|
PMZB200UNEYL | Nexperia | MOSFET N-CH 30V SOT883 | Έρευνα |
|
PMZB350UPE,315 | Nexperia | MOSFET P-CH 20V 1A 3DFN | Έρευνα |
|
PMZB150UNEYL | Nexperia | MOSFET N-CH 20V SOT883 | Έρευνα |
 |
PMZ420UNYL | Nexperia | MOSFET N-CH | Έρευνα |
|
PMZB320UPEYL | Nexperia | MOSFET P-CH 30V SOT883 | Έρευνα |
|
PMZ390UN,315 | Nexperia | MOSFET N-CH 30V 1.78A SOT883 | Έρευνα |
|
PMZ600UNELYL | Nexperia | 20 V, N-CHANNEL TRENCH MOSFET | Έρευνα |
|
PMZB370UNE,315 | Nexperia | MOSFET N-CH 30V 0.9A DFN1006B-3 | Έρευνα |
|
PMZ950UPEYL | Nexperia | MOSFET P-CH 20V 0.5A XQFN3 | Έρευνα |
|
PMZ550UNEYL | Nexperia | MOSFET N-CH 30V SOT883 | Έρευνα |
|
PMZ600UNEYL | Nexperia | MOSFET N-CH 20V 0.6A | Έρευνα |
|
PMZ760SN,315 | Nexperia | MOSFET N-CH 60V 1.22A SOT883 | Έρευνα |
|
PMZB290UN,315 | Nexperia | MOSFET N-CH 20V 1A 3DFN | Έρευνα |
|
PMZ370UNEYL | Nexperia | MOSFET N-CH 30V 0.9A XQFN3 | Έρευνα |
|
PMZB290UNE2YL | Nexperia | MOSFET N-CH 20V 1.2A XQFN3 | Έρευνα |
|
PMZB380XN,315 | Nexperia | MOSFET N-CH 30V SGL 3DFN | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο