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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > PMZB290UN,315
PMZB290UN,315
PMZB290UN,315
Modèle de produit:
PMZB290UN,315
Fabricant:
Nexperia
La description:
MOSFET N-CH 20V 1A 3DFN
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
57987 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
PMZB290UN,315.pdf
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introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
Pays d'origine Contact us
Code de marquage Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:950mV @ 250µA
Vgs (Max):±8V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:DFN1006B-3
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:380 mOhm @ 500mA, 4.5V
Dissipation de puissance (max):360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:3-XFDFN
Autres noms:1727-1242-2
568-10448-2
568-10448-2-ND
934065866315
PMZB290UN,315-ND
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:8 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:83pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:0.68nC @ 4.5V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):1.8V, 4.5V
Tension drain-source (Vdss):20V
Description détaillée:N-Channel 20V 1A (Ta) 360mW (Ta), 2.7W (Tc) Surface Mount DFN1006B-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:1A (Ta)
Email:[email protected]

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