Français
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
À propos de nous | Nous contacter | Demander un devis |
Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > PMZB550UNEYL
PMZB550UNEYL
PMZB550UNEYL
Modèle de produit:
PMZB550UNEYL
Fabricant:
Nexperia
La description:
MOSFET N-CH 30V SOT883
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
23800 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
PMZB550UNEYL.pdf
Enquête

introduction

PMZB550UNEYL est disponible maintenant!La technologie LYNTEAM est le distributeur de stockage pour PMZB550UNEYL, nous avons les stocks d'expédition immédiate et également disponibles pour l'approvisionnement de longue date.Veuillez nous envoyer votre plan d'achat pour PMZB550UNEYL par courrier électronique, nous vous donnerons un meilleur prix en fonction de votre plan.
Achetez PMZB550UNEYL avec LYNTEAM, économisez votre argent et votre temps.
Notre email: [email protected]

Spécifications

État New & Original, tested
Pays d'origine Contact us
Code de marquage Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:950mV @ 250µA
Vgs (Max):±8V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:DFN1006B-3
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:670 mOhm @ 590mA, 4.5V
Dissipation de puissance (max):310mW (Ta), 1.67W (Tc)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:3-XFDFN
Autres noms:1727-2331-2
568-12617-2
568-12617-2-ND
934069331315
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:8 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:30.3pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:1.1nC @ 4.5V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):1.5V, 4.5V
Tension drain-source (Vdss):30V
Description détaillée:N-Channel 30V 590mA (Ta) 310mW (Ta), 1.67W (Tc) Surface Mount DFN1006B-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:590mA (Ta)
Email:[email protected]

Requête rapide Quote

Modèle de produit
Quantité
Compagnie
Email
Téléphone
Remarques / Notes

pièces connexes PMZB550UNEYL

image Modèle de produit Fabricant La description Vue
PMZB670UPE,315 Image PMZB670UPE,315 Nexperia MOSFET P-CH 20V 680MA DFN1006B-3 Enquête
PMZB600UNEYL Image PMZB600UNEYL Nexperia MOSFET N-CH 20V 3QFN Enquête
PMZB290UN,315 Image PMZB290UN,315 Nexperia MOSFET N-CH 20V 1A 3DFN Enquête
PMZB380XN,315 Image PMZB380XN,315 Nexperia MOSFET N-CH 30V SGL 3DFN Enquête
PMZ950UPEYL Image PMZ950UPEYL Nexperia MOSFET P-CH 20V 0.5A XQFN3 Enquête
PMZB950UPELYL Image PMZB950UPELYL Nexperia MOSFET P-CH 20V 500MA 3DFN1006B Enquête
PMZB300XN,315 Image PMZB300XN,315 Nexperia MOSFET N-CH 20V 1A 3DFN Enquête
PMZB320UPEYL Image PMZB320UPEYL Nexperia MOSFET P-CH 30V SOT883 Enquête
PMZB950UPEYL Image PMZB950UPEYL Nexperia MOSFET P-CH 20V 3QFN Enquête
PMZB290UNE2YL Image PMZB290UNE2YL Nexperia MOSFET N-CH 20V 1.2A XQFN3 Enquête
PMZB1200UPEYL Image PMZB1200UPEYL Nexperia MOSFET P-CH 30V SOT883 Enquête
PMZB290UNE,315 Image PMZB290UNE,315 Nexperia MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006B-3 Enquête
PMZB200UNEYL Image PMZB200UNEYL Nexperia MOSFET N-CH 30V SOT883 Enquête
PMZB370UNE,315 Image PMZB370UNE,315 Nexperia MOSFET N-CH 30V 0.9A DFN1006B-3 Enquête
PMZB390UNEYL Image PMZB390UNEYL Nexperia MOSFET N-CH 30V SGL XQFN3 Enquête
PMZB600UNELYL Image PMZB600UNELYL Nexperia MOSFET N-CH 20V 600MA 3DFN1006B Enquête
PMZB420UN,315 Image PMZB420UN,315 Nexperia MOSFET N-CH 30V SGL 3DFN Enquête
PMZB790SN,315 Image PMZB790SN,315 Nexperia MOSFET N-CH 60V SGL 3DFN Enquête
PMZB150UNEYL Image PMZB150UNEYL Nexperia MOSFET N-CH 20V SOT883 Enquête
PMZB350UPE,315 Image PMZB350UPE,315 Nexperia MOSFET P-CH 20V 1A 3DFN Enquête

Latest Nouvelles