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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > PMZB290UNE2YL
PMZB290UNE2YL
PMZB290UNE2YL
Modèle de produit:
PMZB290UNE2YL
Fabricant:
Nexperia
La description:
MOSFET N-CH 20V 1.2A XQFN3
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
39843 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
PMZB290UNE2YL.pdf
Enquête

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Spécifications

État New & Original, tested
Pays d'origine Contact us
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Vgs (th) (Max) @ Id:950mV @ 250µA
Vgs (Max):±8V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:DFN1006B-3
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:320 mOhm @ 1.2A, 4.5V
Dissipation de puissance (max):350mW (Ta), 5.43W (Tc)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:3-XFDFN
Autres noms:1727-2328-2
568-12614-2
568-12614-2-ND
934068612315
PMZB290UNE2YL-ND
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:8 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:46pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:1.4nC @ 4.5V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):1.5V, 4.5V
Tension drain-source (Vdss):20V
Description détaillée:N-Channel 20V 1.2A (Ta) 350mW (Ta), 5.43W (Tc) Surface Mount DFN1006B-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:1.2A (Ta)
Email:[email protected]

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