PMZB290UN,315 è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per PMZB290UN,315, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per PMZB290UN,315 via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista PMZB290UN,315 con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
PMZB290UN,315
- Modello di prodotti:
- PMZB290UN,315
- fabbricante:
- Nexperia
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 20V 1A 3DFN
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 57987 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- PMZB290UN,315.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Vgs (th) (max) a Id: | 950mV @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±8V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | DFN1006B-3 |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 380 mOhm @ 500mA, 4.5V |
| Dissipazione di potenza (max): | 360mW (Ta), 2.7W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 3-XFDFN |
| Altri nomi: | 1727-1242-2 568-10448-2 568-10448-2-ND 934065866315 PMZB290UN,315-ND |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 8 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 83pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 0.68nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 1.8V, 4.5V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 20V |
| Descrizione dettagliata: | N-Channel 20V 1A (Ta) 360mW (Ta), 2.7W (Tc) Surface Mount DFN1006B-3 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 1A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per PMZB290UN,315
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
PMZ950UPEYL | Nexperia | MOSFET P-CH 20V 0.5A XQFN3 | Inchiesta |
 |
PMZB370UNE,315 | Nexperia | MOSFET N-CH 30V 0.9A DFN1006B-3 | Inchiesta |
|
PMZB380XN,315 | Nexperia | MOSFET N-CH 30V SGL 3DFN | Inchiesta |
|
PMZB1200UPEYL | Nexperia | MOSFET P-CH 30V SOT883 | Inchiesta |
|
PMZB320UPEYL | Nexperia | MOSFET P-CH 30V SOT883 | Inchiesta |
 |
PMZ420UNYL | Nexperia | MOSFET N-CH | Inchiesta |
|
PMZ600UNELYL | Nexperia | 20 V, N-CHANNEL TRENCH MOSFET | Inchiesta |
|
PMZB290UNE2YL | Nexperia | MOSFET N-CH 20V 1.2A XQFN3 | Inchiesta |
|
PMZ550UNEYL | Nexperia | MOSFET N-CH 30V SOT883 | Inchiesta |
|
PMZB420UN,315 | Nexperia | MOSFET N-CH 30V SGL 3DFN | Inchiesta |
|
PMZB390UNEYL | Nexperia | MOSFET N-CH 30V SGL XQFN3 | Inchiesta |
|
PMZB300XN,315 | Nexperia | MOSFET N-CH 20V 1A 3DFN | Inchiesta |
|
PMZ950UPELYL | Nexperia | 20 V, P-CHANNEL TRENCH MOSFET | Inchiesta |
|
PMZB150UNEYL | Nexperia | MOSFET N-CH 20V SOT883 | Inchiesta |
|
PMZB550UNEYL | Nexperia | MOSFET N-CH 30V SOT883 | Inchiesta |
|
PMZ600UNEYL | Nexperia | MOSFET N-CH 20V 0.6A | Inchiesta |
|
PMZB350UPE,315 | Nexperia | MOSFET P-CH 20V 1A 3DFN | Inchiesta |
|
PMZ760SN,315 | Nexperia | MOSFET N-CH 60V 1.22A SOT883 | Inchiesta |
|
PMZB290UNE,315 | Nexperia | MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006B-3 | Inchiesta |
|
PMZB200UNEYL | Nexperia | MOSFET N-CH 30V SOT883 | Inchiesta |
Latest Notizie
- L'ondata di intelligenza nell'auto sta arrivando e Aimus Oslang ha aiutato Sagita Juguang a rilasciare MX Lidar
- La capacità di produzione di HBM è esclusa, la memoria DRAM potrebbe essere scarsa nella seconda metà dell'anno
- I fondatori di muro finiranno, HBM o farà risalire la DRAM
- Domanda di espansione di telefonia mobile e PC, miglioramento del settore della produzione di semiconduttori globali
- Comprendere le esigenze degli ADA e dei sistemi di monitoraggio della cabina per i sensori di immagine di sicurezza della rete
- Si dice che Samsung e SK Hynix abbiano fermato DDR3 e la citazione di promozione è aumentata del 20 %
- Melexis rilasciata MLX90427: controllo della linea a nuova scelta, sicuro, efficiente ed economico
- La relazione finanziaria di NXP e Ansonmei ha annunciato e il prezzo dei prezzi del rame viene trasmesso all'industria IC
- Moels Micro Electronics ha creato nuovi uffici a Taiwan, in Cina per espandere il territorio degli affari
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Il rapporto finanziario del primo trimestre del SEF Semiconductor (ST) diminuisce e la domanda di automobili ha rallentato
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash