APTMC120AM08CD3AG متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل APTMC120AM08CD3AG، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل APTMC120AM08CD3AG عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء APTMC120AM08CD3AG مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
APTMC120AM08CD3AG
- رقم القطعة:
- APTMC120AM08CD3AG
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- MOSFET 2N-CH 1200V 250A D3
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 26097 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- APTMC120AM08CD3AG.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2.2V @ 10mA (Typ) |
| تجار الأجهزة حزمة: | D3 |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 10 mOhm @ 200A, 20V |
| السلطة - ماكس: | 1100W |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | D-3 Module |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Chassis Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 32 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 9500pF @ 1000V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 490nC @ 20V |
| نوع FET: | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET الميزة: | Silicon Carbide (SiC) |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 1200V (1.2kV) |
| وصف تفصيلي: | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 250A (Tc) 1100W Chassis Mount D3 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 250A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لAPTMC120AM08CD3AG
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
APTMC120HR11CT3G | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 20A SP3F | تحقيق |
|
APTM60A11FT1G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 600V 40A SP1 | تحقيق |
|
APTM60A23FT1G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 600V 20A SP1 | تحقيق |
|
APTM50UM19SG | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 163A J3 | تحقيق |
|
APTM50UM25SG | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 149A J3 | تحقيق |
|
APTM60H23FT1G | Microsemi | MOSFET 4N-CH 600V 20A SP1 | تحقيق |
 |
APTMC120AM55CT1AG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 1200V 55A SP1 | تحقيق |
|
APTMC120AM09CT3AG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 1200V 295A SP3F | تحقيق |
|
APTMC120HM17CT3AG | Microsemi | POWER MODULE - SIC MOSFET | تحقيق |
 |
APTMC120AM16CD3AG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 1200V 131A D3 | تحقيق |
|
APTMC120HR11CT3AG | Microsemi | POWER MODULE - SIC MOSFET | تحقيق |
|
APTMC120HRM40CT3AG | Microsemi | POWER MODULE - SIC MOSFET | تحقيق |
 |
APTM50UM09FAG | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 497A SP6 | تحقيق |
 |
APTM50TAM65FPG | Microsemi | MOSFET 6N-CH 500V 51A SP6-P | تحقيق |
 |
APTMC120AM25CT3AG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 1200V 105A SP3F | تحقيق |
|
APTM50TDUM65PG | Microsemi | MOSFET 6N-CH 500V 51A SP6-P | تحقيق |
|
APTMC120AM12CT3AG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 1200V 220A SP3F | تحقيق |
|
APTMC120AM20CT1AG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 1200V 143A SP1 | تحقيق |
|
APTM50UM13SAG | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 335A SP6 | تحقيق |
|
APTM50SKM38TG | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 90A SP4 | تحقيق |
Latest الأخبار
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU
- يطلق Melexis رقاقة مفتاح محث كامل المتكامل
- يقدم X-FAB تقنية إضاءة مستشعر الصورة لتعزيز أداء مستشعر CMOS
- تأثر مصنع الرقائق الكبير بالزلزال: توقف TSMC عن العمل بشكل عاجل ، مما أدى إلى تفاقم إمدادات وحدة معالجة الرسومات في نقص العرض؟