APTMC120AM08CD3AG
APTMC120AM08CD3AG
Modello di prodotti:
APTMC120AM08CD3AG
fabbricante:
Microsemi
Descrizione:
MOSFET 2N-CH 1200V 250A D3
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
26097 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
APTMC120AM08CD3AG.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Codice di marcatura Send by email
Vgs (th) (max) a Id:2.2V @ 10mA (Typ)
Contenitore dispositivo fornitore:D3
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:10 mOhm @ 200A, 20V
Potenza - Max:1100W
imballaggio:Bulk
Contenitore / involucro:D-3 Module
temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Chassis Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:32 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:9500pF @ 1000V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:490nC @ 20V
Tipo FET:2 N-Channel (Half Bridge)
Caratteristica FET:Silicon Carbide (SiC)
Tensione drain-source (Vdss):1200V (1.2kV)
Descrizione dettagliata:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 250A (Tc) 1100W Chassis Mount D3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:250A (Tc)
Email:[email protected]

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