APTMC120AM08CD3AG ist jetzt verfügbar!Die LYNTEAM-Technologie ist der Bestandsverteiler für APTMC120AM08CD3AG, wir haben die Aktien für den sofortigen Versand und auch für lange Zeit verfügbar.Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für APTMC120AM08CD3AG per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Kaufen Sie APTMC120AM08CD3AG mit LYNTEAM, sparen Sie Ihr Geld und Ihre Zeit.
Unsere E-Mail: [email protected]
APTMC120AM08CD3AG
- Artikelnummer:
- APTMC120AM08CD3AG
- Hersteller:
- Microsemi
- Beschreibung:
- MOSFET 2N-CH 1200V 250A D3
- Lead Free Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Bestandsmenge:
- 26097 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Vorlaufzeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- APTMC120AM08CD3AG.pdf
Einführung
Spezifikation
| Bedingung | New & Original, tested |
|---|---|
| Ursprungsland | Contact us |
| Markierungscode | Send by email |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.2V @ 10mA (Typ) |
| Supplier Device-Gehäuse: | D3 |
| Serie: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 10 mOhm @ 200A, 20V |
| Leistung - max: | 1100W |
| Verpackung: | Bulk |
| Verpackung / Gehäuse: | D-3 Module |
| Betriebstemperatur: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Chassis Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 32 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 9500pF @ 1000V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 490nC @ 20V |
| Typ FET: | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET-Merkmal: | Silicon Carbide (SiC) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 1200V (1.2kV) |
| detaillierte Beschreibung: | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 250A (Tc) 1100W Chassis Mount D3 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 250A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
In Verbindung stehende Teile für APTMC120AM08CD3AG
| Image | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
 |
APTMC120HR11CT3G | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 20A SP3F | Anfrage |
|
APTM60A11FT1G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 600V 40A SP1 | Anfrage |
|
APTM60A23FT1G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 600V 20A SP1 | Anfrage |
|
APTM50UM19SG | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 163A J3 | Anfrage |
|
APTM50UM25SG | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 149A J3 | Anfrage |
|
APTM60H23FT1G | Microsemi | MOSFET 4N-CH 600V 20A SP1 | Anfrage |
 |
APTMC120AM55CT1AG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 1200V 55A SP1 | Anfrage |
|
APTMC120AM09CT3AG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 1200V 295A SP3F | Anfrage |
|
APTMC120HM17CT3AG | Microsemi | POWER MODULE - SIC MOSFET | Anfrage |
 |
APTMC120AM16CD3AG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 1200V 131A D3 | Anfrage |
|
APTMC120HR11CT3AG | Microsemi | POWER MODULE - SIC MOSFET | Anfrage |
|
APTMC120HRM40CT3AG | Microsemi | POWER MODULE - SIC MOSFET | Anfrage |
 |
APTM50UM09FAG | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 497A SP6 | Anfrage |
 |
APTM50TAM65FPG | Microsemi | MOSFET 6N-CH 500V 51A SP6-P | Anfrage |
 |
APTMC120AM25CT3AG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 1200V 105A SP3F | Anfrage |
|
APTM50TDUM65PG | Microsemi | MOSFET 6N-CH 500V 51A SP6-P | Anfrage |
|
APTMC120AM12CT3AG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 1200V 220A SP3F | Anfrage |
|
APTMC120AM20CT1AG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 1200V 143A SP1 | Anfrage |
|
APTM50UM13SAG | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 335A SP6 | Anfrage |
|
APTM50SKM38TG | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 90A SP4 | Anfrage |
läst Nachrichten
- Moels Micro Electronics hat in Taiwan, China, neue Büros eingerichtet, um das Geschäftsgebiet auszubauen
- Die Leistung von Texas Instruments muss noch gesteigert werden, und die beiden Speicherfabriken schieben neue Flash -Speicherprodukte
- Der Finanzbericht des ersten Quartals des SEF Semiconductor (ST) nimmt ab, und die Nachfrage nach Automobilen hat sich verlangsamt
- Die Leistung von Texas Instruments muss noch gesteigert werden, und die beiden Speicherfabriken schieben neue Flash -Speicherprodukte
- Lokales reife Chipvolumen, Samsung Nand Flash -Speicherproduktionskapazität in der Nähe von Last
- Vishay startet eine minilierte Verpackung hoher Helligkeit kleiner blau und rein grün
- Ansonmei startete einen induktiven Positionssensor für den Industrie- und Transportmarkt
- Ruisa beginnt die alte Fabrik, um das Stromgerät zu erhöhen. Das Erdbeben beeinflusst die Dram -Output mild
- Mikrochip ermöglicht die Produktionskapazität von TSMC und erhöht die Preiserhöhungen
- Ruisa hat die neue Ra0 -Serie Ultra -Low Power Entry -Level MCU gestartet
- MELEXIS startet einen integrierten Induktorschalter -Chip
- X-FAB führt die Back-Illumination-Technologie für Bildsensor ein, um die CMOS-Sensorleistung zu verbessern