APTMC120AM08CD3AG
APTMC120AM08CD3AG
Modelo do Produto:
APTMC120AM08CD3AG
Fabricante:
Microsemi
Descrição:
MOSFET 2N-CH 1200V 250A D3
Status sem chumbo:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
26097 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
APTMC120AM08CD3AG.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:2.2V @ 10mA (Typ)
Embalagem do dispositivo fornecedor:D3
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:10 mOhm @ 200A, 20V
Power - Max:1100W
Embalagem:Bulk
Caixa / Gabinete:D-3 Module
Temperatura de operação:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Chassis Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:32 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:9500pF @ 1000V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:490nC @ 20V
Tipo FET:2 N-Channel (Half Bridge)
Característica FET:Silicon Carbide (SiC)
Escorra a tensão de fonte (Vdss):1200V (1.2kV)
Descrição detalhada:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 250A (Tc) 1100W Chassis Mount D3
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:250A (Tc)
Email:[email protected]

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