APTM50TDUM65PG متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل APTM50TDUM65PG، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل APTM50TDUM65PG عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء APTM50TDUM65PG مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
APTM50TDUM65PG
- رقم القطعة:
- APTM50TDUM65PG
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- MOSFET 6N-CH 500V 51A SP6-P
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 51971 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- APTM50TDUM65PG.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 5V @ 2.5mA |
| تجار الأجهزة حزمة: | SP6-P |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 78 mOhm @ 25.5A, 10V |
| السلطة - ماكس: | 390W |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | SP6 |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Chassis Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 7000pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 140nC @ 10V |
| نوع FET: | 6 N-Channel (3-Phase Bridge) |
| FET الميزة: | Standard |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 500V |
| وصف تفصيلي: | Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 500V 51A 390W Chassis Mount SP6-P |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 51A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لAPTM50TDUM65PG
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
APTM50SKM38TG | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 90A SP4 | تحقيق |
|
APTM50HM75FT3G | Microsemi | MOSFET 4N-CH 500V 46A SP3 | تحقيق |
|
APTM50SKM17G | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 180A SP6 | تحقيق |
|
APTMC120AM12CT3AG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 1200V 220A SP3F | تحقيق |
|
APTM50SKM35TG | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 99A SP4 | تحقيق |
|
APTM50UM13SAG | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 335A SP6 | تحقيق |
|
APTM50HM65FTG | Microsemi | MOSFET 4N-CH 500V 51A SP4 | تحقيق |
|
APTM50SKM19G | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 163A SP6 | تحقيق |
|
APTM50HM75FTG | Microsemi | MOSFET 4N-CH 500V 46A SP4 | تحقيق |
 |
APTM50HM75STG | Microsemi | MOSFET 4N-CH 500V 46A SP4 | تحقيق |
 |
APTM50UM09FAG | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 497A SP6 | تحقيق |
|
APTM60A11FT1G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 600V 40A SP1 | تحقيق |
 |
APTMC120AM08CD3AG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 1200V 250A D3 | تحقيق |
|
APTMC120AM09CT3AG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 1200V 295A SP3F | تحقيق |
 |
APTM50TAM65FPG | Microsemi | MOSFET 6N-CH 500V 51A SP6-P | تحقيق |
|
APTM50UM19SG | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 163A J3 | تحقيق |
|
APTM60H23FT1G | Microsemi | MOSFET 4N-CH 600V 20A SP1 | تحقيق |
|
APTM60A23FT1G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 600V 20A SP1 | تحقيق |
|
APTM50UM25SG | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 149A J3 | تحقيق |
|
APTM50HM75SCTG | Microsemi | MOSFET 4N-CH 500V 46A SP4 | تحقيق |
Latest الأخبار
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي