العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > APTM50UM09FAG
APTM50UM09FAG
APTM50UM09FAG
رقم القطعة:
APTM50UM09FAG
الصانع:
Microsemi
وصف:
MOSFET N-CH 500V 497A SP6
حالة خالية من الرصاص:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
كمية المخزون:
33856 Pieces
موعد التسليم:
1-2 days
المهلة:
4-8 weeks
ورقة البيانات:
1.APTM50UM09FAG.pdf2.APTM50UM09FAG.pdf
تحقيق

المقدمة

APTM50UM09FAG متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل APTM50UM09FAG، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل APTM50UM09FAG عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء APTM50UM09FAG مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]

مواصفات

شرط New & Original, tested
بلد المنشأ Contact us
بمناسبة التعليمات البرمجية Send by email
VGS (ال) (ماكس) @ إيد:5V @ 30mA
فغس (ماكس):±30V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:SP6
سلسلة:-
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:10 mOhm @ 248.5A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):5000W (Tc)
التعبئة والتغليف:Bulk
حزمة / كيس:SP6
اسماء اخرى:APTM50UM09FAGMI
APTM50UM09FAGMI-ND
درجة حرارة التشغيل:-40°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Chassis Mount
مستوى الحساسية للرطوبة (MSL):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:32 Weeks
حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات:Lead free / RoHS Compliant
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:63300pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:1200nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):500V
وصف تفصيلي:N-Channel 500V 497A (Tc) 5000W (Tc) Chassis Mount SP6
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:497A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لAPTM50UM09FAG

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
APTM50HM75STG Image APTM50HM75STG Microsemi MOSFET 4N-CH 500V 46A SP4 تحقيق
APTM50HM75FT3G Microsemi MOSFET 4N-CH 500V 46A SP3 تحقيق
APTM50SKM17G Microsemi MOSFET N-CH 500V 180A SP6 تحقيق
APTM60A23FT1G Microsemi MOSFET 2N-CH 600V 20A SP1 تحقيق
APTM50UM13SAG Microsemi MOSFET N-CH 500V 335A SP6 تحقيق
APTM50HM75FTG Microsemi MOSFET 4N-CH 500V 46A SP4 تحقيق
APTMC120AM09CT3AG Microsemi MOSFET 2N-CH 1200V 295A SP3F تحقيق
APTM50SKM35TG Microsemi MOSFET N-CH 500V 99A SP4 تحقيق
APTM50TAM65FPG Image APTM50TAM65FPG Microsemi MOSFET 6N-CH 500V 51A SP6-P تحقيق
APTM60H23FT1G Microsemi MOSFET 4N-CH 600V 20A SP1 تحقيق
APTM50UM19SG Microsemi MOSFET N-CH 500V 163A J3 تحقيق
APTM60A11FT1G Microsemi MOSFET 2N-CH 600V 40A SP1 تحقيق
APTMC120AM16CD3AG Image APTMC120AM16CD3AG Microsemi MOSFET 2N-CH 1200V 131A D3 تحقيق
APTMC120AM12CT3AG Microsemi MOSFET 2N-CH 1200V 220A SP3F تحقيق
APTM50TDUM65PG Image APTM50TDUM65PG Microsemi MOSFET 6N-CH 500V 51A SP6-P تحقيق
APTM50SKM19G Microsemi MOSFET N-CH 500V 163A SP6 تحقيق
APTMC120AM08CD3AG Image APTMC120AM08CD3AG Microsemi MOSFET 2N-CH 1200V 250A D3 تحقيق
APTM50HM75SCTG Microsemi MOSFET 4N-CH 500V 46A SP4 تحقيق
APTM50UM25SG Microsemi MOSFET N-CH 500V 149A J3 تحقيق
APTM50SKM38TG Microsemi MOSFET N-CH 500V 90A SP4 تحقيق

Latest الأخبار