SI4967DY-T1-GE3
Số Phần:
SI4967DY-T1-GE3
nhà chế tạo:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Sự miêu tả:
MOSFET 2P-CH 12V 8SOIC
Tình trạng không có chì:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng cổ phiếu:
41410 Pieces
Thời gian giao hàng:
1-2 days
Thời gian dẫn:
4-8 weeks
Bảng dữliệu:
SI4967DY-T1-GE3.pdf

Giới thiệu

SI4967DY-T1-GE3 hiện có sẵn!Công nghệ LYNTEAM là nhà phân phối stocking cho SI4967DY-T1-GE3, chúng tôi có cổ phiếu để vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài.Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho SI4967DY-T1-GE3 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua SI4967DY-T1-GE3 với LYNTEAM, tiết kiệm tiền và thời gian của bạn.
Email của chúng tôi: [email protected]

Thông số kỹ thuật

Điều kiện New & Original, tested
Nước xuất xứ Contact us
Mã đánh dấu Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:450mV @ 250µA (Min)
Gói thiết bị nhà cung cấp:8-SO
Loạt:TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, VGS:23 mOhm @ 7.5A, 4.5V
Power - Max:2W
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Độ nhạy độ ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:-
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:55nC @ 10V
Loại FET:2 P-Channel (Dual)
FET Feature:Logic Level Gate
Xả để nguồn điện áp (Vdss):12V
miêu tả cụ thể:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 2W Surface Mount 8-SO
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:-
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận