SI4967DY-T1-GE3
رقم القطعة:
SI4967DY-T1-GE3
الصانع:
Electro-Films (EFI) / Vishay
وصف:
MOSFET 2P-CH 12V 8SOIC
حالة خالية من الرصاص:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
كمية المخزون:
41410 Pieces
موعد التسليم:
1-2 days
المهلة:
4-8 weeks
ورقة البيانات:
SI4967DY-T1-GE3.pdf

المقدمة

SI4967DY-T1-GE3 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل SI4967DY-T1-GE3، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل SI4967DY-T1-GE3 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء SI4967DY-T1-GE3 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]

مواصفات

شرط New & Original, tested
بلد المنشأ Contact us
بمناسبة التعليمات البرمجية Send by email
VGS (ال) (ماكس) @ إيد:450mV @ 250µA (Min)
تجار الأجهزة حزمة:8-SO
سلسلة:TrenchFET®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:23 mOhm @ 7.5A, 4.5V
السلطة - ماكس:2W
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى الحساسية للرطوبة (MSL):1 (Unlimited)
حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات:Lead free / RoHS Compliant
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:-
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:55nC @ 10V
نوع FET:2 P-Channel (Dual)
FET الميزة:Logic Level Gate
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):12V
وصف تفصيلي:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 2W Surface Mount 8-SO
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:-
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

Latest الأخبار