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SI4967DY-T1-GE3
- 제품 모델:
- SI4967DY-T1-GE3
- 기술:
- MOSFET 2P-CH 12V 8SOIC
- 무연 상태:
- 무연 / RoHS 준수
- 재고 수량:
- 41410 Pieces
- 배달 시간:
- 1-2 days
- 리드 타임:
- 4-8 weeks
- 데이터 시트:
- SI4967DY-T1-GE3.pdf
소개
규격
| 조건 | New & Original, tested |
|---|---|
| 원산지 | Contact us |
| 마킹 코드 | Send by email |
| 아이디 @ VGS (일) (최대): | 450mV @ 250µA (Min) |
| 제조업체 장치 패키지: | 8-SO |
| 연속: | TrenchFET® |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대): | 23 mOhm @ 7.5A, 4.5V |
| 전력 - 최대: | 2W |
| 포장: | Tape & Reel (TR) |
| 패키지 / 케이스: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 작동 온도: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형: | Surface Mount |
| 수분 민감도 (MSL): | 1 (Unlimited) |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부: | Lead free / RoHS Compliant |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: | - |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs: | 55nC @ 10V |
| FET 유형: | 2 P-Channel (Dual) |
| FET 특징: | Logic Level Gate |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss): | 12V |
| 상세 설명: | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 2W Surface Mount 8-SO |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id): | - |
| Email: | [email protected] |
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