SI4967DY-T1-GE3 şimdi kullanılabilir!LYNTEAM teknolojisi, SI4967DY-T1-GE3 için stoklama distribütörüdür, acil nakliye için hisse senetleri var ve ayrıca uzun süre tedarik için de mevcut.Lütfen bize SI4967DY-T1-GE3 için satın alma planınızı e-posta yoluyla gönderin, planınıza göre size en iyi fiyat vereceğiz.
SI4967DY-T1-GE3 LYNTEAM ile satın alın, paranızı ve zamanınızı kaydedin.
E-postamız: [email protected]
SI4967DY-T1-GE3
- Parça Numarası:
- SI4967DY-T1-GE3
- Üretici firma:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Açıklama:
- MOSFET 2P-CH 12V 8SOIC
- Kurşunsuz Durumu:
- Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
- Stok miktarı:
- 41410 Pieces
- Teslimat süresi:
- 1-2 days
- Teslim süresi:
- 4-8 weeks
- Veri Sayfası:
- SI4967DY-T1-GE3.pdf
Giriş
Özellikler
| Şart | New & Original, tested |
|---|---|
| Menşei ülke | Contact us |
| İşaretleme kodu | Send by email |
| Id @ Vgs (th) (Max): | 450mV @ 250µA (Min) |
| Tedarikçi Cihaz Paketi: | 8-SO |
| Dizi: | TrenchFET® |
| Id, VGS @ rds On (Max): | 23 mOhm @ 7.5A, 4.5V |
| Güç - Max: | 2W |
| paketleme: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / Kutu: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| bağlantı Tipi: | Surface Mount |
| Nem Hassasiyeti Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Kurşunsuz Durum / RoHS Durumu: | Lead free / RoHS Compliant |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
| Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 55nC @ 10V |
| FET Tipi: | 2 P-Channel (Dual) |
| FET Özelliği: | Logic Level Gate |
| Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 12V |
| Detaylı Açıklama: | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 2W Surface Mount 8-SO |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | - |
| Email: | [email protected] |
SI4967DY-T1-GE3 için ilgili parçalar
Latest Haberleri
- Moels Micro Electronics, Tayvan, Çin'de iş bölgesini genişletmek için yeni bir ofis kurdu
- Texas Instruments'ın performansı hala artırılmalı ve iki depolama fabrikası yeni Flash Memory ürünlerini zorladı
- SEF Semiconductor (ST) 'nin ilk çeyrek finansal raporu azalıyor ve otomobil talebi yavaşladı
- Texas Instruments'ın performansı hala artırılmalı ve iki depolama fabrikası yeni Flash Memory ürünlerini zorladı
- Yerel olgun çip hacmi, Samsung Nand yük yakınında flaş bellek üretim kapasitesi
- Vishay, mayınlı ambalajı başlattı Yüksek parlaklık küçük mavi ve saf yeşil led
- Ansonmei, Endüstriyel ve Ulaşım Pazarı için bir endüktif konum sensörü başlattı
- Ruisa, güç cihazını artırmak için eski fabrikayı başlatır, deprem DRAM çıkışını hafifçe etkiler
- Microchip, TSMC'nin üretim kapasitesini sağlar ve fiyat artışlarını artırır
- Ruisa yeni RA0 Serisi Ultra -Low Power Giriş -Level MCU'yu başlattı
- Melexis tam entegre bir indüktör anahtarı çipini başlattı
- X-FAB, CMOS sensörü performansını artırmak için görüntü sensörü geri aydınlatma teknolojisini tanıttı