RN1909FE(TE85L,F)
RN1909FE(TE85L,F)
Số Phần:
RN1909FE(TE85L,F)
nhà chế tạo:
Toshiba Semiconductor and Storage
Sự miêu tả:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Tình trạng không có chì:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng cổ phiếu:
25728 Pieces
Thời gian giao hàng:
1-2 days
Thời gian dẫn:
4-8 weeks
Bảng dữliệu:
RN1909FE(TE85L,F).pdf

Giới thiệu

RN1909FE(TE85L,F) hiện có sẵn!Công nghệ LYNTEAM là nhà phân phối stocking cho RN1909FE(TE85L,F), chúng tôi có cổ phiếu để vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài.Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho RN1909FE(TE85L,F) qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua RN1909FE(TE85L,F) với LYNTEAM, tiết kiệm tiền và thời gian của bạn.
Email của chúng tôi: [email protected]

Thông số kỹ thuật

Điều kiện New & Original, tested
Nước xuất xứ Contact us
Mã đánh dấu Send by email
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):50V
VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 250µA, 5mA
Loại bóng bán dẫn:2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Gói thiết bị nhà cung cấp:ES6
Loạt:-
Điện trở - Cơ sở Emitter (R2):22 kOhms
Điện trở - Cơ sở (R1):47 kOhms
Power - Max:100mW
Bao bì:Cut Tape (CT)
Gói / Case:SOT-563, SOT-666
Vài cái tên khác:RN1909FE(TE85LF)CT
gắn Loại:Surface Mount
Độ nhạy độ ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Tần số - Transition:250MHz
miêu tả cụ thể:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE:70 @ 10mA, 5V
Hiện tại - Collector Cutoff (Max):100nA (ICBO)
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận