RN1909FE(TE85L,F)
RN1909FE(TE85L,F)
Modelo do Produto:
RN1909FE(TE85L,F)
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Status sem chumbo:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
25728 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
RN1909FE(TE85L,F).pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 250µA, 5mA
Tipo transistor:2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Embalagem do dispositivo fornecedor:ES6
Série:-
Resistor - Base do Emissor (R2):22 kOhms
Resistor - Base (R1):47 kOhms
Power - Max:100mW
Embalagem:Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete:SOT-563, SOT-666
Outros nomes:RN1909FE(TE85LF)CT
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição:250MHz
Descrição detalhada:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:70 @ 10mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max):100nA (ICBO)
Atual - Collector (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

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