RN1909FE(TE85L,F) est disponible maintenant!La technologie LYNTEAM est le distributeur de stockage pour RN1909FE(TE85L,F), nous avons les stocks d'expédition immédiate et également disponibles pour l'approvisionnement de longue date.Veuillez nous envoyer votre plan d'achat pour RN1909FE(TE85L,F) par courrier électronique, nous vous donnerons un meilleur prix en fonction de votre plan.
Achetez RN1909FE(TE85L,F) avec LYNTEAM, économisez votre argent et votre temps.
Notre email: [email protected]
RN1909FE(TE85L,F)
- Modèle de produit:
- RN1909FE(TE85L,F)
- Fabricant:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- La description:
- TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
- Statut sans plomb:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Quantité en stock:
- 25728 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- RN1909FE(TE85L,F).pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 50V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Transistor Type: | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Package composant fournisseur: | ES6 |
| Séries: | - |
| Résistance - Base de l'émetteur (R2): | 22 kOhms |
| Résistance - Base (R1): | 47 kOhms |
| Puissance - Max: | 100mW |
| Emballage: | Cut Tape (CT) |
| Package / Boîte: | SOT-563, SOT-666 |
| Autres noms: | RN1909FE(TE85LF)CT |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Fréquence - Transition: | 250MHz |
| Description détaillée: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6 |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 70 @ 10mA, 5V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max): | 100nA (ICBO) |
| Courant - Collecteur (Ic) (max): | 100mA |
| Email: | [email protected] |
pièces connexes RN1909FE(TE85L,F)
Latest Nouvelles
- Moels Micro Electronics a créé de nouveaux bureaux à Taiwan, en Chine, pour développer le territoire des affaires
- Les performances de Texas Instruments doivent encore être stimulées, et les deux usines de stockage poussent de nouveaux produits de mémoire flash
- Le rapport financier du premier trimestre du semi-conducteur SEF diminue, et la demande d'automobiles a ralenti
- Les performances de Texas Instruments doivent encore être stimulées, et les deux usines de stockage poussent de nouveaux produits de mémoire flash
- Volume local de puces matures, Samsung Nand Flash Memory Production Captise Près de chargement
- Vishay lance un emballage minileur à haute luminosité petite LED bleu et vert pur
- Ansonmei a lancé un capteur de position inductif pour le marché industriel et des transports
- Ruisa démarre l'ancienne usine pour augmenter le dispositif d'alimentation, le tremblement de terre affecte la sortie DRAM douce
- Microchip permet la capacité de production du TSMC et augmente les augmentations de prix
- Ruisa a lancé la nouvelle série RA0 Série Ultra -Low Power Entry -vel MCU
- Melexis lance une puce d'interrupteur d'inductivité intégrale complète
- X-FAB introduit la technologie d'éclairage du capteur d'image pour améliorer les performances du capteur CMOS