RN1907FE,LF(CB
RN1907FE,LF(CB
Modèle de produit:
RN1907FE,LF(CB
Fabricant:
Toshiba Semiconductor and Storage
La description:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
35286 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
RN1907FE,LF(CB.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type:2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Package composant fournisseur:ES6
Séries:-
Résistance - Base de l'émetteur (R2):47 kOhms
Résistance - Base (R1):10 kOhms
Puissance - Max:100mW
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:SOT-563, SOT-666
Autres noms:RN1907FE(T5L,F,T)
RN1907FE(T5LFT)TR
RN1907FE(T5LFT)TR-ND
RN1907FE,LF(CT
RN1907FELF(CBTR
RN1907FELF(CTTR
RN1907FELF(CTTR-ND
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:16 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition:250MHz
Description détaillée:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:80 @ 10mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max):100nA (ICBO)
Courant - Collecteur (Ic) (max):100mA
Email:[email protected]

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